Транзистор КТ3130

Цоколевка транзистора КТ3130
Цоколевка транзистора КТ3130

 

Параметры транзистора КТ3130
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ3130А-9 BCW71, BCW60A
КТ3130Б-9 BCF81, BCW72
КТ3130В-9 BCF32. BCW60C
КТ3130Г-9 BCW33
КТ3130Д-9 BCW32
КТ3130Е-9 BCF33
КТ3130Ж-9 2SD601
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ3130А-9 100 мВт
КТ3130Б-9 100
КТ3130В-9 100
КТ3130Г-9 100
КТ3130Д-9 100
КТ3130Е-9 100
КТ3130Ж-9 100
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ3130А-9 ≥150 МГц
КТ3130Б-9 ≥150
КТ3130В-9 ≥150
КТ3130Г-9 ≥300
КТ3130Д-9 ≥150
КТ3130Е-9 ≥300
КТ3130Ж-9 ≥150
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ3130А-9 50 В
КТ3130Б-9 50
КТ3130В-9 30
КТ3130Г-9 20
КТ3130Д-9 30
КТ3130Е-9 20
КТ3130Ж-9 30
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ3130А-9 5 В
КТ3130Б-9 5
КТ3130В-9 5
КТ3130Г-9 5
КТ3130Д-9 5
КТ3130Е-9 5
КТ3130Ж-9 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ3130А-9 100 мА
КТ3130Б-9 100
КТ3130В-9 100
КТ3130Г-9 100
КТ3130Д-9 100
КТ3130Е-9 100
КТ3130Ж-9 100
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ3130А-9 50 В ≤0.1 мкА
КТ3130Б-9 50 В ≤0.1
КТ3130В-9 30 В ≤0.1
КТ3130Г-9 20 В ≤0.1
КТ3130Д-9 30 В ≤0.1
КТ3130Е-9 20 В ≤0.1
КТ3130Ж-9 30 В ≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ3130А-9 5 В; 2 мА 100…250
КТ3130Б-9 5 В; 2 мА 200…500
КТ3130В-9 5 В; 2 мА 200…500
КТ3130Г-9 5 В; 2 мА 400…1000
КТ3130Д-9 5 В; 2 мА 200…500
КТ3130Е-9 5 В; 2 мА 400…1000
КТ3130Ж-9 5 В; 2 мА 100…500
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ3130А-9 5 В ≤12 пФ
КТ3130Б-9 5 В ≤12
КТ3130В-9 5 В ≤12
КТ3130Г-9 5 В ≤12
КТ3130Д-9 5 В ≤12
КТ3130Е-9 5 В ≤12
КТ3130Ж-9 5 В ≤12
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ3130А-9 Ом, дБ
КТ3130Б-9
КТ3130В-9
КТ3130Г-9
КТ3130Д-9
КТ3130Е-9
КТ3130Ж-9
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ3130А-9 1 кГц ≤10 Дб, Ом, Вт
КТ3130Б-9 1 кГц ≤10
КТ3130В-9 1 кГц ≤10
КТ3130Г-9 1 кГц ≤10
КТ3130Д-9 1 кГц ≤10
КТ3130Е-9 1 кГц ≤4
КТ3130Ж-9 1 кГц ≤4
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ3130А-9 пс
КТ3130Б-9
КТ3130В-9
КТ3130Г-9
КТ3130Д-9
КТ3130Е-9
КТ3130Ж-9

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.