Транзистор КТ316

Цоколевка транзистора КТ316

Цоколевка транзистора КТ316

 

 

Параметры транзистора КТ316
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ316А 2N3010, 2N3681 *1, ST6125, KTC2348 *3
КТ316Б 2N709, 2N709A, 

MM8006, MM8007, 

MRF5031HX, 

MRF5031HXV, 

MRF5031LT1, 

BFR93 *3, 2SC772 *1, 2N3953, BF232 *1, BFW99 *1

КТ316В 2N709A, MM8006, MM8007, 

MRF5031HX, 

MRF5031HXV,

 MRF5031LT1, 

BFR93 *3, 2SC772 *1, 2N3953, BF232 *1,

 BFW99 *1

КТ316Г 2SC40, 2N3681 *1, ST6125, KTC2348 *3
КТ316Д 2N2784, 2SC772 *3, S822T *3, S852T *3, 2SC3195 *3, 2SC3880S *3
КТ316АМ 2N4254, NTE107, КТС2348
КТ316БМ MPS6541, CD9018D, 

2SC3801, 2SC3801M,

КТС9018, 2SC3194, 

P2N2369 *2, KSP5179, KSP24, KSP17

 

КТ316ГМ 2N4255, KSC1395,КТС2348
КТ316ДМ KSC1730
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ316А 90 °C 150 мВт
КТ316Б 90 °C 150
КТ316В 90 °C 150
КТ316Г 90 °C 150
КТ316Д 90 °C 150
КТ316АМ 85 °C 150
КТ316БМ 85 °C 150
КТ316ВМ 85 °C 150
КТ316ГМ 85 °C 150
КТ316ДМ 85 °C 150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ316А ≥600 МГц
КТ316Б ≥800
КТ316В ≥800
КТ316Г ≥600
КТ316Д ≥800
КТ316АМ ≥600
КТ316БМ ≥800
КТ316ВМ ≥800
КТ316ГМ ≥600
КТ316ДМ ≥800
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ316А 10* В
КТ316Б 10*
КТ316В 10*
КТ316Г 10*
КТ316Д 10*
КТ316АМ 10*
КТ316БМ 10*
КТ316ВМ 10*
КТ316ГМ 10*
КТ316ДМ 10*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ316А 4 В
КТ316Б 4
КТ316В 4
КТ316Г 4
КТ316Д 4
КТ316АМ 4
КТ316БМ 4
КТ316ВМ 4
КТ316ГМ 4
КТ316ДМ 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ316А 50 мА
КТ316Б 50
КТ316В 50
КТ316Г 50
КТ316Д 50
КТ316АМ 50
КТ316БМ 50
КТ316ВМ 50
КТ316ГМ 50
КТ316ДМ 50
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ316А 10 В ≤0.5 мкА
КТ316Б 10 В ≤0.5
КТ316В 10 В ≤0.5
КТ316Г 10 В ≤0.5
КТ316Д 10 В ≤0.5
КТ316АМ 10 В ≤0.5
КТ316БМ 10 В ≤0.5
КТ316ВМ 10 В ≤0.5
КТ316ГМ 10 В ≤0.5
КТ316ДМ 10 В ≤0.5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ316А 1 В; 10 мА 20…60*
КТ316Б 1 В; 10 мА 40…120*
КТ316В 1 В; 10 мА 40…120*
КТ316Г 1 В; 10 мА 20…100*
КТ316Д 1 В; 10 мА 60…300*
КТ316АМ 1 В; 10 мА 20…60*
КТ316БМ 1 В; 10 мА 40…120*
КТ316ВМ 1 В; 10 мА 40…120*
КТ316ГМ 1 В; 10 мА 20…100*
КТ316ДМ 1 В; 10 мА 60…300*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ316А 5 В ≤3 пФ
КТ316Б 5 В ≤3
КТ316В 5 В ≤3
КТ316Г 5 В ≤3
КТ316Д 5 В ≤3
КТ316АМ 5 В ≤3
КТ316БМ 5 В ≤3
КТ316ВМ 5 В ≤3
КТ316ГМ 5 В ≤3
КТ316ДМ 5 В ≤3
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ316А ≤40 Ом, дБ
КТ316Б ≤40
КТ316В ≤40
КТ316Г ≤40
КТ316Д ≤40
КТ316АМ ≤40
КТ316БМ ≤40
КТ316ВМ ≤40
КТ316ГМ ≤40
КТ316ДМ ≤40
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ316А Дб, Ом, Вт
КТ316Б
КТ316В
КТ316Г
КТ316Д
КТ316АМ
КТ316БМ
КТ316ВМ
КТ316ГМ
КТ316ДМ
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ316А ≤10* пс
КТ316Б ≤10*
КТ316В ≤15*
КТ316Г ≤150
КТ316Д ≤150
КТ316АМ ≤10*
КТ316БМ ≤10*
КТ316ВМ ≤15*
КТ316ГМ ≤150
КТ316ДМ ≤150

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.