Транзистор КТ316

Цоколевка транзистора КТ316

Цоколевка транзистора КТ316

 

 

Параметры транзистора КТ316
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ316А 2N3010
КТ316Б 2N709
КТ316В 2N709A
КТ316Г 2SC40
КТ316Д 2N2784
КТ316АМ 2N4254, NTE107
КТ316БМ MPS6541
КТ316ГМ 2N4255, KSC1395
КТ316ДМ KSC1730
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ316А 90 °C 150 мВт
КТ316Б 90 °C 150
КТ316В 90 °C 150
КТ316Г 90 °C 150
КТ316Д 90 °C 150
КТ316АМ 85 °C 150
КТ316БМ 85 °C 150
КТ316ВМ 85 °C 150
КТ316ГМ 85 °C 150
КТ316ДМ 85 °C 150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ316А ≥600 МГц
КТ316Б ≥800
КТ316В ≥800
КТ316Г ≥600
КТ316Д ≥800
КТ316АМ ≥600
КТ316БМ ≥800
КТ316ВМ ≥800
КТ316ГМ ≥600
КТ316ДМ ≥800
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ316А 10* В
КТ316Б 10*
КТ316В 10*
КТ316Г 10*
КТ316Д 10*
КТ316АМ 10*
КТ316БМ 10*
КТ316ВМ 10*
КТ316ГМ 10*
КТ316ДМ 10*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ316А 4 В
КТ316Б 4
КТ316В 4
КТ316Г 4
КТ316Д 4
КТ316АМ 4
КТ316БМ 4
КТ316ВМ 4
КТ316ГМ 4
КТ316ДМ 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ316А 50 мА
КТ316Б 50
КТ316В 50
КТ316Г 50
КТ316Д 50
КТ316АМ 50
КТ316БМ 50
КТ316ВМ 50
КТ316ГМ 50
КТ316ДМ 50
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ316А 10 В ≤0.5 мкА
КТ316Б 10 В ≤0.5
КТ316В 10 В ≤0.5
КТ316Г 10 В ≤0.5
КТ316Д 10 В ≤0.5
КТ316АМ 10 В ≤0.5
КТ316БМ 10 В ≤0.5
КТ316ВМ 10 В ≤0.5
КТ316ГМ 10 В ≤0.5
КТ316ДМ 10 В ≤0.5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ316А 1 В; 10 мА 20…60*
КТ316Б 1 В; 10 мА 40…120*
КТ316В 1 В; 10 мА 40…120*
КТ316Г 1 В; 10 мА 20…100*
КТ316Д 1 В; 10 мА 60…300*
КТ316АМ 1 В; 10 мА 20…60*
КТ316БМ 1 В; 10 мА 40…120*
КТ316ВМ 1 В; 10 мА 40…120*
КТ316ГМ 1 В; 10 мА 20…100*
КТ316ДМ 1 В; 10 мА 60…300*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ316А 5 В ≤3 пФ
КТ316Б 5 В ≤3
КТ316В 5 В ≤3
КТ316Г 5 В ≤3
КТ316Д 5 В ≤3
КТ316АМ 5 В ≤3
КТ316БМ 5 В ≤3
КТ316ВМ 5 В ≤3
КТ316ГМ 5 В ≤3
КТ316ДМ 5 В ≤3
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ316А ≤40 Ом, дБ
КТ316Б ≤40
КТ316В ≤40
КТ316Г ≤40
КТ316Д ≤40
КТ316АМ ≤40
КТ316БМ ≤40
КТ316ВМ ≤40
КТ316ГМ ≤40
КТ316ДМ ≤40
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ316А Дб, Ом, Вт
КТ316Б
КТ316В
КТ316Г
КТ316Д
КТ316АМ
КТ316БМ
КТ316ВМ
КТ316ГМ
КТ316ДМ
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ316А ≤10* пс
КТ316Б ≤10*
КТ316В ≤15*
КТ316Г ≤150
КТ316Д ≤150
КТ316АМ ≤10*
КТ316БМ ≤10*
КТ316ВМ ≤15*
КТ316ГМ ≤150
КТ316ДМ ≤150

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.