Транзистор КТ317

Цоколевка транзистора КТ317
Цоколевка транзистора КТ317

 

Параметры транзистора КТ317
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ317А-1 15 мВт
КТ317Б-1 15
КТ317В-1 15
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ317А-1 ≥100 МГц
КТ317Б-1 ≥100
КТ317В-1 ≥100
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ317А-1 5 В
КТ317Б-1 5
КТ317В-1 5
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ317А-1 3.5 В
КТ317Б-1 3.5
КТ317В-1 3.5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ317А-1 45* 15 мА
КТ317Б-1 45* 15
КТ317В-1 45* 15
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ317А-1 5 В ≤1 мкА
КТ317Б-1 5 В ≤1
КТ317В-1 5 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ317А-1 1 В; 1 мА 25…75
КТ317Б-1 1 В; 1 мА 35…120
КТ317В-1 1 В; 1 мА 80…250
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ317А-1 1 В ≤11 пФ
КТ317Б-1 1 В ≤11
КТ317В-1 1 В ≤11
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ317А-1 ≤30 Ом, дБ
КТ317Б-1 ≤30
КТ317В-1 ≤30
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ317А-1 Дб, Ом, Вт
КТ317Б-1
КТ317В-1
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ317А-1 ≤130* пс
КТ317Б-1 ≤130*
КТ317В-1 ≤130*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.