Транзистор КТ3201

 

Цоколевка транзистора КТ3201
Цоколевка транзистора КТ3201

 

Параметры транзистора КТ3201
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ3201А9 ММВТ6517
КТ3201Б9 ММВТА42
КТ3201В9 BFN24
КТ3201Г9 ММВТА43
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ3201А9 300 мВт
КТ3201Б9 300
КТ3201В9 300
КТ3201Г9 300
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ3201А9 ≥100 МГц
КТ3201Б9 ≥100
КТ3201В9 ≥100
КТ3201Г9 ≥100
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ3201А9 450 В
КТ3201Б9 400
КТ3201В9 300
КТ3201Г9 250
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ3201А9 6 В
КТ3201Б9 6
КТ3201В9 6
КТ3201Г9 6
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ3201А9 400 мА
КТ3201Б9 400
КТ3201В9 400
КТ3201Г9 400
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ3201А9 мкА
КТ3201Б9
КТ3201В9
КТ3201Г9
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ3201А9 10 В; 50 мА ≥30
КТ3201Б9 10 В; 50 мА ≥30
КТ3201В9 10 В; 50 мА ≥30
КТ3201Г9 10 В; 50 мА ≥30
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ3201А9 ≤10; 1.5* пФ
КТ3201Б9 ≤10; 1.5*
КТ3201В9 ≤10; 1.5*
КТ3201Г9 ≤10; 1.5*
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ3201А9 Ом, дБ
КТ3201Б9
КТ3201В9
КТ3201Г9
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ3201А9 Дб, Ом, Вт
КТ3201Б9
КТ3201В9
КТ3201Г9
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ3201А9 пс
КТ3201Б9
КТ3201В9
КТ3201Г9

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.