Транзистор КТ326

 

Цоколевка транзистора КТ326
Цоколевка транзистора КТ326

 

Параметры транзистора КТ326
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ326А ВС178
КТ326Б BFY19
КТ326АМ BFX12
КТ326БМ BFX13
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ326А(М) 30 °С 200 мВт
КТ326Б(М) 30 °С 200
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ326А(М) ≥250 МГц
КТ326Б(М) ≥400
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ326А(М) 100к 15* В
КТ326Б(М) 100к 15*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ326А(М) 5 В
КТ326Б(М) 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ326А(М) 50 мА
КТ326Б(М) 50
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ326А(М) 20 В ≤0.5 мкА
КТ326Б(М) 20 В ≤0.5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ326А(М) 2 В; 10 мА 20…70*
КТ326Б(М) 2 В; 10 мА 45…160*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ326А(М) 5 В ≤5
пФ
КТ326Б(М) 5 В ≤5
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ326А(М) ≤30 Ом, дБ
КТ326Б(М) ≤30
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ326А(М) Дб, Ом, Вт
КТ326Б(М)
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ326А(М) ≤450 пс
КТ326Б(М) ≤450

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

 

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов