| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ339АМ | BF199 | |||
| КТ339А | BF208, 2N3291,
2N3292, 2SC123 *1, 2N702 *2, 2S101 *2, 2SC2839 *1, 2SC398, 2SC399 |
||||
| КТ339Б | BF311, 2SC388A,BF595,
CS9016, MPSH31 |
||||
| КТ339В | BF173 | ||||
| КТ339Г | BF197 | ||||
| КТ339Д | MPSH37 | ||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ339АМ | 55 °С | 260 | мВт |
| КТ339А | 55 °С | 260 | |||
| КТ339Б | 55 °С | 260 | |||
| КТ339В | 55 °С | 260 | |||
| КТ339Г | 55 °С | 260 | |||
| КТ339Д | 55 °С | 260 | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ339АМ | — | ≥300 | МГц |
| КТ339А | — | ≥300 | |||
| КТ339Б | — | ≥250 | |||
| КТ339В | — | ≥450 | |||
| КТ339Г | — | ≥250 | |||
| КТ339Д | — | ≥250 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ339АМ | — | 40 | В |
| КТ339А | — | 40 | |||
| КТ339Б | — | 25 | |||
| КТ339В | — | 40 | |||
| КТ339Г | — | 40 | |||
| КТ339Д | — | 40 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ339АМ | — | 4 | В |
| КТ339А | — | 4 | |||
| КТ339Б | — | 4 | |||
| КТ339В | — | 4 | |||
| КТ339Г | — | 4 | |||
| КТ339Д | — | 4 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ339АМ | — | 25 | мА |
| КТ339А | — | 25 | |||
| КТ339Б | — | 25 | |||
| КТ339В | — | 25 | |||
| КТ339Г | — | 25 | |||
| КТ339Д | — | 25 | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ339АМ | 40 В | ≤1 | мкА |
| КТ339А | 40 В | ≤1 | |||
| КТ339Б | 40 В | ≤1 | |||
| КТ339В | 40 В | ≤1 | |||
| КТ339Г | 40 В | ≤1 | |||
| КТ339Д | 40 В | ≤1 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ339АМ | 10 В; 7 мА | ≥25* | |
| КТ339А | 10 В; 7 мА | ≥25* | |||
| КТ339Б | 10 В; 7 мА | ≥15* | |||
| КТ339В | 10 В; 7 мА | ≥25* | |||
| КТ339Г | 10 В; 7 мА | ≥40* | |||
| КТ339Д | 10 В; 7 мА | ≥15* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ339АМ | 5 В | ≤2 |
пФ |
| КТ339А | 5 В | ≤2 | |||
| КТ339Б | 5 В | ≤2 | |||
| КТ339В | 5 В | ≤2 | |||
| КТ339Г | 5 В | ≤2 | |||
| КТ339Д | 5 В | ≤2 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ339АМ | — | — | Ом, дБ |
| КТ339А | — | — | |||
| КТ339Б | — | — | |||
| КТ339В | — | — | |||
| КТ339Г | — | — | |||
| КТ339Д | — | — | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ339АМ | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ339А | — | — | |||
| КТ339Б | — | — | |||
| КТ339В | — | — | |||
| КТ339Г | — | — | |||
| КТ339Д | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ339АМ | — | ≤25 | пс |
| КТ339А | — | ≤25 | |||
| КТ339Б | — | ≤25 | |||
| КТ339В | — | ≤50 | |||
| КТ339Г | — | ≤100 | |||
| КТ339Д | — | ≤150 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: