Транзистор КТ349

Цоколевка транзистора КТ349
Цоколевка транзистора КТ349

 

Параметры транзистора КТ345
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ349А 2N726
КТ349Б 2N727
КТ349В ВС158А
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ349А 35 °C 200 мВт
КТ349Б 35 °C 200
КТ349В 35 °C 200
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ349А ≥300 МГц
КТ349Б ≥300
КТ349В ≥300
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ349А 10к 15* В
КТ349Б 10к 15*
КТ349В 10к 15*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ349А 4 В
КТ349Б 4
КТ349В 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ349А 50(100*) мА
КТ349Б 50(100*)
КТ349В 50(100*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ349А 10 В ≤1 мкА
КТ349Б 10 В ≤1
КТ349В 10 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ349А 1 В; 10 мА 20…80*
КТ349Б 1 В; 10 мА 40…160*
КТ349В 1 В; 10 мА 120…300*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ349А 5 В ≤6
пФ
КТ349Б 5 В ≤6
КТ349В 5 В ≤6
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ349А ≤30 Ом, дБ
КТ349Б ≤30
КТ349В ≤30
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ349А Дб, Ом, Вт
КТ349Б
КТ349В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ349А пс
КТ349Б
КТ349В

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.