Транзисторы КТ350, КТ351, КТ352

Цоколевка транзисторов КТ350, КТ351, КТ352
Цоколевка транзисторов КТ350, КТ351, КТ352

 

Параметры транзисторов КТ350, КТ351, КТ352
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ350А MPS6563
КТ351А ВС216
КТ351Б ВС192
КТ352А ВС355А, 2N869
КТ352Б ВС355
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ350А 30 °C 300 мВт
КТ351А 30 °C 300
КТ351Б 30 °C 300
КТ352А 30 °C 300
КТ352Б 30 °C 300
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ350А ≥100 МГц
КТ351А ≥200
КТ351Б ≥200
КТ352А ≥200
КТ352Б ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ350А 20 В
КТ351А 10к 15*
КТ351Б 10к 15*
КТ352А 20
КТ352Б 20
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ350А 5 В
КТ351А 5
КТ351Б 5
КТ352А 5
КТ352Б 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ350А 600* мА
КТ351А 400*
КТ351Б 400*
КТ352А 200*
КТ352Б 200*
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ350А 10 В ≤1 мкА
КТ351А 10 В ≤1
КТ351Б 10 В ≤1
КТ352А 10 В ≤1
КТ352Б 10 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ350А 1 В; 0.5 А 20…200*
КТ351А 1 В; 0.5 А 20…80*
КТ351Б 1 В; 0.3 А 50…200*
КТ352А 1 В; 0.2 А 25…125*
КТ352Б 1 В; 0.2 А 70…300*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ350А 5 В ≤70
пФ
КТ351А 5 В ≤20
КТ351Б 5 В ≤20
КТ352А 5 В ≤15
КТ352Б 5 В ≤15
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ350А ≤2 Ом, дБ
КТ351А ≤1.5
КТ351Б ≤2.25
КТ352А ≤3
КТ352Б ≤3
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ350А Дб, Ом, Вт
КТ351А
КТ351Б
КТ352А
КТ352Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ350А пс
КТ351А
КТ351Б
КТ352А
КТ352Б ≤150*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.