Транзистор КТ358

Цоколевка транзистора КТ358
Цоколевка транзистора КТ358

 

Параметры транзистора КТ358
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ358А 2N3709
КТ358Б 2N3710
КТ358В 2N3710
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ358А 50 °C 100 мВт
КТ358Б 50 °C 100
КТ358В 50 °C 100
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ358А ≥80 МГц
КТ358Б ≥120
КТ358В ≥120
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ358А 15 В
КТ358Б 30
КТ358В 15
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ358А 4 В
КТ358Б 4
КТ358В 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ358А 30(60*) мА
КТ358Б 30(60*)
КТ358В 30(60*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ358А 15 В ≤10 мкА
КТ358Б 30 В ≤10
КТ358В 15 В ≤10
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ358А 5.5 В; 20 мА 10…100*
КТ358Б 5.5 В; 20 мА 25…100*
КТ358В 5.5 В; 20 мА 50…280*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ358А 10 В ≤5
пФ
КТ358Б 10 В ≤5
КТ358В 10 В ≤5
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ358А ≤40 Ом, дБ
КТ358Б ≤40
КТ358В ≤40
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ358А Дб, Ом, Вт
КТ358Б
КТ358В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ358А ≤500 пс
КТ358Б ≤500
КТ358В ≤500

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.