Описание

 

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в схемах переключения и усиления высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 0,2 г.

 

 

Параметры транзистора КТ373

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ373А		ВС147А, ВС168А, BF253-3 *1, 2SC394О *1, 2SC394R *3, KTN5020О *1, КТN5020R *3, КТС388АО *1, КТC388AR *3, NTE319 *1
		КТ373Б		ВС147В, ВС167В, BF253-5 *1, 2SC388A-TM *1, KTN5020Y *3, КТС388AY *3, 2SC4618Q *3
		КТ373В		ВС148С, ВС168С, 2SC4997U *3, 2SC4998U *3, 2SC858 *3, 2SC859 *3
		КТ373Г		ВС 157, BCW47, 2SC394R *3, 2SC3504D *1, 2SC2216 *1, 2SC383TM *3, 2SC383 *3, BF224 *3, ECG319P *3, NTE319P *3, EN916 *3
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ373А	55 °C	150	мВт
		КТ373Б	55 °C	150
		КТ373В	55 °C	150
		КТ373Г	55 °C	150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h21б, f**h21э, f***max	КТ373А	—	≥350	МГц
		КТ373Б	—	≥300
		КТ373В	—	≥300
		КТ373Г	—	≥250
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ373А	10к	30*	В
		КТ373Б	10к	25*
		КТ373В	10к	10*
		КТ373Г	10к	60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ373А	—	5	В
		КТ373Б	—	5
		КТ373В	—	5
		КТ373Г	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ373А	—	50(200*)	мА
		КТ373Б	—	50(200*)
		КТ373В	—	50(200*)
		КТ373Г	—	50(200*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ373А	25 В	≤0.05	мкА
		КТ373Б	20 В	≤0.05
		КТ373В	10 В	≤0.05
		КТ373Г	25 В	≤0.05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ373А	5 В; 1 мА	100…250
		КТ373Б	5 В; 1 мА	200…600
		КТ373В	5 В; 1 мА	500…1000
		КТ373Г	5 В; 1 мА	500…125
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ373А	5 В	≤8	пФ
		КТ373Б	5 В	≤8
		КТ373В	5 В	≤8
		КТ373Г	5 В	≤8
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ373А	—	≤10	Ом, дБ
		КТ373Б	—	≤10
		КТ373В	—	≤10
		КТ373Г	—	≤20
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ373А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ373Б	—	—
		КТ373В	—	—
		КТ373Г	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ373А	—	≤200	пс
		КТ373Б	—	≤300
		КТ373В	—	≤700
		КТ373Г	—	≤200

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.