Транзистор КТ375

Цоколевка транзистора КТ375
Цоколевка транзистора КТ375

 

Описание

 

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в переключательных и усилительных схемах высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится в этикетке. Масса транзистора не более 0,25 г.

 

Параметры транзистора КТ375
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ375А BCW88A, 2N3903
КТ375Б BSX80, 2N3904
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ375А 200(400**) мВт
КТ375Б 200(400**)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ375А ≥250 МГц
КТ375Б ≥250
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ375А 60 В
КТ375Б 30
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ375А 5 В
КТ375Б 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ375А 100(200*) мА
КТ375Б 100(200*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ375А 60 В ≤1 мкА
КТ375Б 30 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ375А 2 В; 20 мА 10…100*
КТ375Б 2 В; 20 мА 50…280*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ375А 10 В ≤5
пФ
КТ375Б 10 В ≤5
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ375А ≤40 Ом, дБ
КТ375Б ≤40
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ375А Дб, Ом, Вт
КТ375Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ375А ≤300 пс
КТ375Б ≤300

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.