Транзистор КТ501

Цоколевка транзистора КТ501
Цоколевка транзистора КТ501

 

Описание

 

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p усилительные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты с нормированным коэффициентом шума, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе
Масса транзистора не более 0.6 г.

 

Параметры транзисторов КТ501
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ501А SFT130
КТ501Б SF125
КТ501В SF131
КТ501Г BCY90B, 2N1221
КТ501Д BCY38
КТ501Е SFT124
КТ501Ж SFT143
КТ501И SFT144
КТ501К BCY54
КТ501Л BCY94B
КТ501М BCY39, BCY95B
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ501А 35 °C 350 мВт
КТ501Б 35 °C 350
КТ501В 35 °C 350
КТ501Г 35 °C 350
КТ501Д 35 °C 350
 КТ501Е 35 °C 350
КТ501Ж 35 °C 350
  КТ501И 35 °C 350
  КТ501К 35 °C 350
  КТ501Л 35 °C 350
 КТ501М 35 °C 350
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ501А ≥5 МГц
КТ501Б ≥5
КТ501В ≥5
КТ501Г ≥5
КТ501Д ≥5
 КТ501Е ≥5
 КТ501Ж ≥5
 КТ501И ≥5
 КТ501К ≥5
 КТ501Л ≥5
КТ501М ≥5
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ501А 10к 15* В
КТ501Б 10к 15*
КТ501В 10к 15*
КТ501Г 10к 30*
КТ501Д 10к 30*
  КТ501Е 10к 30*
  КТ501Ж 10к 45*
  КТ501И 10к 45*
  КТ501К 10к 45*
 КТ501Л 10к 60*
КТ501М 10к 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ501А 10 В
КТ501Б 10
КТ501В 10
КТ501Г 10
КТ501Д 10
 КТ501Е 10
КТ501Ж 20
 КТ501И 20
 КТ501К 20
 КТ501Л 20
КТ501М 20
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ501А 300(500*) мА
КТ501Б 300(500*)
КТ501В 300(500*)
КТ501Г 300(500*)
КТ501Д 300(500*)
 КТ501Е 300(500*)
КТ501Ж 300(500*)
 КТ501И 300(500*)
КТ501К 300(500*)
 КТ501Л 300(500*)
КТ501М 300(500*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ501А 15 В ≤1* мкА
КТ501Б 15 В ≤1*
КТ501В 15 В ≤1*
КТ501Г 30 В ≤1*
КТ501Д 30 В ≤1*
КТ501Е 30 В ≤1*
КТ501Ж 45 В ≤1*
КТ501И 45 В ≤1*
 КТ501К 45 В ≤1*
 КТ501Л 60 В ≤1*
КТ501М 60 В ≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ501А 1 В; 30 мА 20…60*
КТ501Б 1 В; 30 мА 40…120*
КТ501В 1 В; 30 мА 80…240*
КТ501Г 1 В; 30 мА 20…60*
КТ501Д 1 В; 30 мА 40…120*
 КТ501Е 1 В; 30 мА 80…240*
  КТ501Ж 1 В; 30 мА 20…60*
 КТ501И 1 В; 30 мА 40…120*
 КТ501К 1 В; 30 мА 80…240*
 КТ501Л 1 В; 30 мА 20…60*
КТ501М 1 В; 30 мА 40…120*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ501А 10 В ≤50
пФ
КТ501Б 10 В ≤50
КТ501В 10 В ≤50
КТ501Г 10 В ≤50
КТ501Д 10 В ≤50
 КТ501Е 10 В ≤50
  КТ501Ж 10 В ≤50
 КТ501И 10 В ≤50
 КТ501К 10 В ≤50
 КТ501Л 10 В ≤50
КТ501М 10 В ≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ501А ≤1.3 Ом, дБ
КТ501Б ≤1.3
КТ501В ≤1.3
КТ501Г ≤1.3
КТ501Д ≤1.3
 КТ501Е ≤1.3
КТ501Ж ≤1.3
 КТ501И ≤1.3
 КТ501К ≤1.3
 КТ501Л ≤1.3
КТ501М ≤1.3
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ501А Дб, Ом, Вт
КТ501Б
КТ501В 1 кГц ≤4
КТ501Г
КТ501Д
 КТ501Е 1 кГц ≤4
  КТ501Ж
 КТ501И
 КТ501К 1 кГц ≤4
 КТ501Л
КТ501М
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ501А пс
КТ501Б
КТ501В
КТ501Г
КТ501Д
 КТ501Е
КТ501Ж
  КТ501И
 КТ501К
 КТ501Л
КТ501М

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.