Транзистор КТ501

Цоколевка транзистора КТ501
Цоколевка транзистора КТ501

 

Описание

 

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p усилительные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты с нормированным коэффициентом шума, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе
Масса транзистора не более 0.6 г.

 

Параметры транзисторов КТ501
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ501А SFT130, 2S3221 *2, 2S3021 *3, 2N2373 *2, 2N2372 *2
КТ501Б SF125, 2N1239 *3, 2S3240 *2, 2N2894, KSY81, 2N3977 *3, KSY82 *2, TR15 *2, 2S3040 *3
КТ501В SF131, 2S304 *2, 2SA1883 *3, 2SB1279 *3, 2SB1199 *3, 2S307A *3, CP4 *3, 2N2944 *3
КТ501Г BCY90B, 2N1221, 2N6567 *3, 2N1254 *2, 2N1220 *2, 2N1219 *2, 2S322A *3
КТ501Д BCY38, PET4059 *3, PET4060 *3, 2N1255 *2, MPS404 *3, THC2945 *3, 2N3978 *3, 2N2945 *3, BC250 *3, 2N869A *2
КТ501Е SFT124, 2N4125 *3, РЕТ4061 *3, 2N1258 *2, KSA642 *1, KSA1378 *1, 2SB641 *3, CSA643О *3, 2N2945A *3
КТ501Ж SFT143, 2N327B *2, 2S3220 *3, 2S3210 *3, 2N1256 *2, 2N3979 *3, OC206 *1, ОС204 *3
КТ501И SFT144, BC281A, 2N1257, 

MPS404A *1

КТ501К BCY54, XIT139 *3, IT139/71 *3, IT139 *3, 2N3911 *1, 2N3914, BSR18 *3, 2SA1835SP *1, 2SA1835S *1, 2SA1835SN *1, 2SA559A, 2SA558, 2N2946 *2, 2SA539 *1
КТ501Л BCY94B, 2N1774A, ОС205 *3, 2N1259, 2N327B *2
КТ501М BCY39, BCY95B, BCY11 *3, GES2906A *1, 2N3910 *1, 2N3913, JE9215A *3, JE9215 *3, KSA539 *3
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ501А 35 °C 350 мВт
КТ501Б 35 °C 350
КТ501В 35 °C 350
КТ501Г 35 °C 350
КТ501Д 35 °C 350
 КТ501Е 35 °C 350
КТ501Ж 35 °C 350
  КТ501И 35 °C 350
  КТ501К 35 °C 350
  КТ501Л 35 °C 350
 КТ501М 35 °C 350
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ501А ≥5 МГц
КТ501Б ≥5
КТ501В ≥5
КТ501Г ≥5
КТ501Д ≥5
 КТ501Е ≥5
 КТ501Ж ≥5
 КТ501И ≥5
 КТ501К ≥5
 КТ501Л ≥5
КТ501М ≥5
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ501А 10к 15* В
КТ501Б 10к 15*
КТ501В 10к 15*
КТ501Г 10к 30*
КТ501Д 10к 30*
  КТ501Е 10к 30*
  КТ501Ж 10к 45*
  КТ501И 10к 45*
  КТ501К 10к 45*
 КТ501Л 10к 60*
КТ501М 10к 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ501А 10 В
КТ501Б 10
КТ501В 10
КТ501Г 10
КТ501Д 10
 КТ501Е 10
КТ501Ж 20
 КТ501И 20
 КТ501К 20
 КТ501Л 20
КТ501М 20
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ501А 300(500*) мА
КТ501Б 300(500*)
КТ501В 300(500*)
КТ501Г 300(500*)
КТ501Д 300(500*)
 КТ501Е 300(500*)
КТ501Ж 300(500*)
 КТ501И 300(500*)
КТ501К 300(500*)
 КТ501Л 300(500*)
КТ501М 300(500*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ501А 15 В ≤1* мкА
КТ501Б 15 В ≤1*
КТ501В 15 В ≤1*
КТ501Г 30 В ≤1*
КТ501Д 30 В ≤1*
КТ501Е 30 В ≤1*
КТ501Ж 45 В ≤1*
КТ501И 45 В ≤1*
 КТ501К 45 В ≤1*
 КТ501Л 60 В ≤1*
КТ501М 60 В ≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ501А 1 В; 30 мА 20…60*
КТ501Б 1 В; 30 мА 40…120*
КТ501В 1 В; 30 мА 80…240*
КТ501Г 1 В; 30 мА 20…60*
КТ501Д 1 В; 30 мА 40…120*
 КТ501Е 1 В; 30 мА 80…240*
  КТ501Ж 1 В; 30 мА 20…60*
 КТ501И 1 В; 30 мА 40…120*
 КТ501К 1 В; 30 мА 80…240*
 КТ501Л 1 В; 30 мА 20…60*
КТ501М 1 В; 30 мА 40…120*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ501А 10 В ≤50
пФ
КТ501Б 10 В ≤50
КТ501В 10 В ≤50
КТ501Г 10 В ≤50
КТ501Д 10 В ≤50
 КТ501Е 10 В ≤50
  КТ501Ж 10 В ≤50
 КТ501И 10 В ≤50
 КТ501К 10 В ≤50
 КТ501Л 10 В ≤50
КТ501М 10 В ≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ501А ≤1.3 Ом, дБ
КТ501Б ≤1.3
КТ501В ≤1.3
КТ501Г ≤1.3
КТ501Д ≤1.3
 КТ501Е ≤1.3
КТ501Ж ≤1.3
 КТ501И ≤1.3
 КТ501К ≤1.3
 КТ501Л ≤1.3
КТ501М ≤1.3
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ501А Дб, Ом, Вт
КТ501Б
КТ501В 1 кГц ≤4
КТ501Г
КТ501Д
 КТ501Е 1 кГц ≤4
  КТ501Ж
 КТ501И
 КТ501К 1 кГц ≤4
 КТ501Л
КТ501М
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ501А пс
КТ501Б
КТ501В
КТ501Г
КТ501Д
 КТ501Е
КТ501Ж
  КТ501И
 КТ501К
 КТ501Л
КТ501М

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная зависимость, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная зависимость, тип корпуса отличается.