Транзистор КТ502

Цоколевка транзистора КТ502
Цоколевка транзистора КТ502

 

Описание

 

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,3 г.

 

Параметры транзисторов КТ502
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ502А KSA539R
КТ502Б KSA5390
КТ502В KSA5450
КТ502Г KSA539Y
КТ502Д KSA545R
КТ502Е BSS68
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ502А 350 мВт
КТ502Б 350
КТ502В 350
КТ502Г 350
КТ502Д 350
 КТ502Е 350
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ502А 5…50 МГц
КТ502Б 5…50
КТ502В 5…50
КТ502Г 5…50
КТ502Д 5…50
 КТ502Е 5…50
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ502А 40 В
КТ502Б 40
КТ502В 60
КТ502Г 60
КТ502Д 80
  КТ502Е 90
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ502А 5 В
КТ502Б 5
КТ502В 5
КТ502Г 5
КТ502Д 5
 КТ502Е 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ502А 150(300*) мА
КТ502Б 150(300*)
КТ502В 150(300*)
КТ502Г 150(300*)
КТ502Д 150(300*)
 КТ502Е 150(300*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ502А 40 В ≤1 мкА
КТ502Б 40 В ≤1
КТ502В 60 В ≤1
КТ502Г 60 В ≤1
КТ502Д 80 В ≤1
КТ502Е 90 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ502А 1 В; 30 мА 40…120
КТ502Б 1 В; 30 мА 80…240
КТ502В 1 В; 30 мА 40…120
КТ502Г 1 В; 30 мА 80…240
КТ502Д 1 В; 30 мА 40…120
 КТ502Е 1 В; 30 мА 40…120
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ502А 10 В ≤50
пФ
КТ502Б 10 В ≤50
КТ502В 10 В ≤50
КТ502Г 10 В ≤50
КТ502Д 10 В ≤50
 КТ502Е 10 В ≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ502А ≤60 Ом, дБ
КТ502Б ≤60
КТ502В ≤60
КТ502Г ≤60
КТ502Д ≤60
 КТ502Е ≤60
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ502А ≤320* Дб, Ом, Вт
КТ502Б ≤320*
КТ502В ≤320*
КТ502Г ≤320*
КТ502Д ≤320*
 КТ502Е ≤320*
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ502А пс
КТ502Б
КТ502В
КТ502Г
КТ502Д
 КТ502Е

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

 

Зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры
Зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора
Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

 

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов