Транзистор КТ502

Цоколевка транзистора КТ502
Цоколевка транзистора КТ502

 

Описание

 

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,3 г.

 

Параметры транзисторов КТ502
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ502А KSA539R, 2N1257 *1, PN4248 *2, ВС315 *2, 2N1255 *1, ВС250
КТ502Б KSA5390, PN4248, 2N2946 *1, 2SA1211 *1, 2N1258 *1, 2N2945A *3
КТ502В KSA5450, 2N3910 *1, 2N3913 *1, JE9215,

JE9215A, KSA539

КТ502Г KSA539Y, MM4008 *1, 2N6223, JE9215C, JE9215B,

2SA561R, 2N3840 *3, 2SA937AP *1, 2SA937AMP *1, 2SA937AM *1, 2SA937A *1, 2SA1561АР *1, 2SA1561A *1, 2SA1547АР *1, 2SA1547A *1, 2SA545

КТ502Д KSA545R, ST4341 *3, BFS91 *1, ТР3060, 2N3060 *1
КТ502Е BSS68, BF397, 2N3062 *3
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ502А 350 мВт
КТ502Б 350
КТ502В 350
КТ502Г 350
КТ502Д 350
 КТ502Е 350
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ502А 5…50 МГц
КТ502Б 5…50
КТ502В 5…50
КТ502Г 5…50
КТ502Д 5…50
 КТ502Е 5…50
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ502А 40 В
КТ502Б 40
КТ502В 60
КТ502Г 60
КТ502Д 80
  КТ502Е 90
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ502А 5 В
КТ502Б 5
КТ502В 5
КТ502Г 5
КТ502Д 5
 КТ502Е 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ502А 150(300*) мА
КТ502Б 150(300*)
КТ502В 150(300*)
КТ502Г 150(300*)
КТ502Д 150(300*)
 КТ502Е 150(300*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ502А 40 В ≤1 мкА
КТ502Б 40 В ≤1
КТ502В 60 В ≤1
КТ502Г 60 В ≤1
КТ502Д 80 В ≤1
КТ502Е 90 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ502А 1 В; 30 мА 40…120
КТ502Б 1 В; 30 мА 80…240
КТ502В 1 В; 30 мА 40…120
КТ502Г 1 В; 30 мА 80…240
КТ502Д 1 В; 30 мА 40…120
 КТ502Е 1 В; 30 мА 40…120
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ502А 10 В ≤50
пФ
КТ502Б 10 В ≤50
КТ502В 10 В ≤50
КТ502Г 10 В ≤50
КТ502Д 10 В ≤50
 КТ502Е 10 В ≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ502А ≤60 Ом, дБ
КТ502Б ≤60
КТ502В ≤60
КТ502Г ≤60
КТ502Д ≤60
 КТ502Е ≤60
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ502А ≤320* Дб, Ом, Вт
КТ502Б ≤320*
КТ502В ≤320*
КТ502Г ≤320*
КТ502Д ≤320*
 КТ502Е ≤320*
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ502А пс
КТ502Б
КТ502В
КТ502Г
КТ502Д
 КТ502Е

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

 

Зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры
Зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора
Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

 

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов