Транзистор КТ503

Цоколевка транзистора КТ503
Цоколевка транзистора КТ503

 

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,3 г.

 

Параметры транзисторов КТ503
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ503А KSC815, KSD2270
КТ503Б MPS2712
КТ503В KSC853R
КТ503Г KSC853R
КТ503Д KSC853R
КТ503Е BSS38
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ503А 350 мВт
КТ503Б 350
КТ503В 350
КТ503Г 350
КТ503Д 350
 КТ503Е 350
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ503А 5…50 МГц
КТ503Б 5…50
КТ503В 5…50
КТ503Г 5…50
КТ503Д 5…50
 КТ503Е 5…50
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ503А 40 В
КТ503Б 40
КТ503В 60
КТ503Г 60
КТ503Д 80
  КТ503Е 100
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ503А 5 В
КТ503Б 5
КТ503В 5
КТ503Г 5
КТ503Д 5
 КТ503Е 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ503А 150(300*) мА
КТ503Б 150(300*)
КТ503В 150(300*)
КТ503Г 150(300*)
КТ503Д 150(300*)
 КТ503Е 150(300*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ503А 40 В ≤1 мкА
КТ503Б 40 В ≤1
КТ503В 60 В ≤1
КТ503Г 60 В ≤1
КТ503Д 80 В ≤1
КТ503Е 100 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ503А 1 В; 30 мА 40…120
КТ503Б 1 В; 30 мА 80…240
КТ503В 1 В; 30 мА 40…120
КТ503Г 1 В; 30 мА 80…240
КТ503Д 1 В; 30 мА 40…120
 КТ503Е 1 В; 30 мА 40…120
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ503А 10 В ≤50
пФ
КТ503Б 10 В ≤50
КТ503В 10 В ≤50
КТ503Г 10 В ≤50
КТ503Д 10 В ≤50
 КТ503Е 10 В ≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ503А ≤60 Ом, дБ
КТ503Б ≤60
КТ503В ≤60
КТ503Г ≤60
КТ503Д ≤60
 КТ503Е ≤60
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ503А ≤580* Дб, Ом, Вт
КТ503Б ≤580*
КТ503В ≤580*
КТ503Г ≤580*
КТ503Д ≤580*
 КТ503Е ≤580*
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ503А пс
КТ503Б
КТ503В
КТ503Г
КТ503Д
 КТ503Е

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

 

Зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры
Зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора
Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера