Транзистор КТ506

Цоколевка транзисторов КТ504, КТ505, КТ506
Цоколевка транзисторов КТ504, КТ505, КТ506

 

Параметры транзисторов КТ506
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ506А BUX54
КТ506Б UPT315, BUX84
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ506А 0.8(10*) Вт
КТ506Б 0.8(10*)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ506А ≥10 МГц
КТ506Б ≥10
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ506А 800 В
КТ506Б 600
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ506А 5 В
КТ506Б 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ506А 2(5*) А
КТ506Б 2(5*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ506А 600 В ≤200 мкА
КТ506Б 600 В ≤200
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ506А 5 В; 0.3 А 30…150*
КТ506Б 5 В; 0.3 А 30…150*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ506А 5 В ≤40
пФ
КТ506Б 5 В ≤40
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ506А ≤2 Ом, дБ
КТ506Б ≤2
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ506А Дб, Ом, Вт
КТ506Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ506А ≤1560* пс
КТ506Б ≤1560*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.