Транзистор КТ6116

Цоколевка транзистора КТ6116
Цоколевка транзистора КТ6116

 

Параметры транзисторов КТ6116
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ6116А ВС450 *2, 2SA794 *3, 2SA794P *3, SK3114A *2, 2SA984K *2, 2SA984KD *2, 2SA777NС *2, FMMTA56 *3
КТ6116Б SО5400 *1, FMMT5400 *1, A5T5400, MPSL51 *2, MPSD53 *2, PN4356 *2, 2N4356 *3
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ6116А 50 °C 625 мВт
КТ6116Б 50 °C 625
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ6116А ≥100 МГц
КТ6116Б ≥100
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ6116А 160 В
КТ6116Б 130
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ6116А 5 В
КТ6116Б 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ6116А 600 мА
КТ6116Б 600
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ6116А ≤0.05 мкА
КТ6116Б ≤0.01
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ6116А 60…240
КТ6116Б 40…180
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ6116А
пФ
КТ6116Б
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ6116А Ом, дБ
КТ6116Б
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ6116А ≤8 Дб, Ом, Вт
КТ6116Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ6116А пс
КТ6116Б

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.