Транзистор КТ630

Цоколевка транзистора КТ630
Цоколевка транзистора КТ630

 

Параметры транзистора КТ630
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ630А 0.8 Вт
КТ630Б 0.8
КТ630В 0.8
КТ630Г 0.8
КТ630Д 0.8
КТ630Е 0.8
КТ630А-5 0.8
КТ630Б-5 0.8
КТ630В-5 0.8
КТ630Г-5 0.8
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ630А ≥50 МГц
КТ630Б ≥50
КТ630В ≥50
КТ630Г ≥50
КТ630Д ≥50
КТ630Е ≥50
КТ630А-5 ≥50
 КТ630Б-5 ≥50
КТ630В-5 ≥50
КТ630Г-5 ≥50
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ630А 120 В
КТ630Б 120
КТ630В 150
КТ630Г 100
КТ630Д 60
КТ630Е 60
КТ630А-5 120
КТ630Б-5 120
КТ630В-5 150
КТ630Г-5 100
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ630А 7 В
КТ630Б 7
КТ630В 7
КТ630Г 5
КТ630Д 5
КТ630Е 5
КТ630А-5 7
КТ630Б-5 7
КТ630В-5 7
КТ630Г-5 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ630А 1(2*) А
КТ630Б 1(2*)
КТ630В 1(2*)
КТ630Г 1(2*)
КТ630Д 1(2*)
КТ630Е 1(2*)
КТ630А-5 1(2*)
КТ630Б-5 1(2*)
КТ630В-5 1(2*)
КТ630Г-5 1(2*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ630А 90 В ≤1 мкА
КТ630Б 90 В ≤1
КТ630В 90 В ≤1
КТ630Г 40 В ≤1
КТ630Д 40 В ≤1
КТ630Е 40 В ≤1
КТ630А-5 120 В ≤100
КТ630Б-5 120 В ≤100
КТ630В-5 120 В ≤100
КТ630Г-5 100 В ≤100
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ630А 10 В; 150 мА 40…120*
КТ630Б 10 В; 150 мА 80…240*
КТ630В 10 В; 150 мА 40…120*
КТ630Г 10 В; 150 мА 40…120*
КТ630Д 10 В; 150 мА 80…240*
КТ630Е 10 В; 150 мА 160…480*
КТ630А-5 10 В; 0.1 А 40…120
КТ630Б-5 10 В; 0.1 А 80…240
КТ630В-5 10 В; 0.1 А 40…120
КТ630Г-5 10 В; 0.1 А 40…120
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ630А 10 В ≤15
пФ
КТ630Б 10 В ≤15
КТ630В 10 В ≤15
КТ630Г 10 В ≤15
КТ630Д 10 В ≤15
КТ630Е 10 В ≤15
КТ630А-5 10 В ≤15
КТ630Б-5 10 В ≤15
КТ630В-5 10 В ≤15
КТ630Г-5 10 В ≤15
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ630А ≤2 Ом, дБ
КТ630Б ≤2
КТ630В ≤2
КТ630Г ≤2
КТ630Д ≤2
КТ630Е ≤2
КТ630А-5 ≤3.3
КТ630Б-5 ≤3.3
КТ630В-5 ≤3.3
КТ630Г-5 ≤3.3
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ630А ≥5* Дб, Ом, Вт
КТ630Б ≥5*
КТ630В ≥5*
КТ630Г ≥5*
КТ630Д ≥5*
КТ630Е ≥5*
КТ630А-5
КТ630Б-5
КТ630В-5
КТ630Г-5
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ630А ≤500** пс
КТ630Б ≤500**
КТ630В ≤500**
КТ630Г ≤500**
КТ630Д ≤500**
КТ630Е ≤500**
КТ630А-5 ≤500**
КТ630Б-5 ≤500**
КТ630В-5 ≤500**
КТ630Г-5 ≤500**

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.