Транзистор КТ632

Цоколевка транзистора КТ632
Цоколевка транзистора КТ632

 

Параметры транзистора КТ632
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ632Б 45 °C 0.5 Вт
КТ632Б-1 40 °C 0.35
КТ632В-1 40 °C 0.35
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ632Б ≥200 МГц
КТ632Б-1 ≥200
КТ632В-1 ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ632Б 120* В
КТ632Б-1 120*
КТ632В-1 120*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ632Б 5 В
КТ632Б-1 5
КТ632В-1 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ632Б 100(350*) мА
КТ632Б-1 100(350*)
КТ632В-1 100(350*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ632Б 120 В ≤1 мкА
КТ632Б-1 120 В ≤1
КТ632В-1 120 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ632Б 1 В; 1 мА ≥50
КТ632Б-1 1 В; 1 мА 50…350
КТ632В-1 10 В; 1 мА 150…450
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ632Б 20 В ≤5
пФ
КТ632Б-1 20 В ≤5
КТ632В-1 20 В ≤5
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ632Б ≤25 Ом, дБ
КТ632Б-1 ≤25
КТ632В-1 ≤25
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ632Б Дб, Ом, Вт
КТ632Б-1
КТ632В-1
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ632Б ≤100 пс
КТ632Б-1 ≤100
КТ632В-1 2000*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.