Транзистор КТ639

Цоколевка транзистора КТ639
Цоколевка транзистора КТ639

 

Параметры транзистора КТ639
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ639А 1(12.5*) Вт
КТ639Б 1(12.5*)
КТ639В 1(12.5*)
КТ639Г 1(12.5*)
КТ639Д 1(12.5*)
КТ639Е 1
КТ639Ж 1
КТ639И 1
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ639А ≥80 МГц
КТ639Б ≥80
КТ639В ≥80
КТ639Г ≥80
КТ639Д ≥80
КТ639Е ≥80
КТ639Ж ≥80
 КТ639И ≥80
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ639А 45 В
КТ639Б 45
КТ639В 45
КТ639Г 60
КТ639Д 60
КТ639Е 100
КТ639Ж 100
КТ639И 30
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ639А 5 В
КТ639Б 5
КТ639В 5
КТ639Г 5
КТ639Д 5
КТ639Е 5
КТ639Ж 5
КТ639И 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ639А 1.5(2*) А
КТ639Б 1.5(2*)
КТ639В 1.5(2*)
КТ639Г 1.5(2*)
КТ639Д 1.5(2*)
КТ639Е 1.5(2*)
КТ639Ж 1.5(2*)
КТ639И 1.5(2*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ639А 30 В ≤0.1 мкА
КТ639Б 30 В ≤0.1
КТ639В 30 В ≤0.1
КТ639Г 30 В ≤0.1
КТ639Д 30 В ≤0.1
КТ639Е 30 В ≤0.1
КТ639Ж 30 В ≤0.1
КТ639И 30 В ≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ639А 2 В; 0.15 А 40…100*
КТ639Б 2 В; 0.15 А 63…160*
КТ639В 2 В; 0.15 А 100…250*
КТ639Г 2 В; 0.15 А 40…100*
КТ639Д 2 В; 0.15 А 63…160*
КТ639Е 2 В; 0.15 А 40…100*
КТ639Ж 2 В; 0.15 А 60…100*
КТ639И 2 В; 0.15 А 180…400*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ639А 10 В ≤50
пФ
КТ639Б 10 В ≤50
КТ639В 10 В ≤50
КТ639Г 10 В ≤50
КТ639Д 10 В ≤50
КТ639Е 10 В ≤50
КТ639Ж 10 В ≤50
КТ639И 10 В ≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ639А ≤1 Ом, дБ
КТ639Б ≤1
КТ639В ≤1
КТ639Г ≤1
КТ639Д ≤1
КТ639Е ≤1
КТ639Ж ≤1
КТ639И ≤1
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ639А Дб, Ом, Вт
КТ639Б
КТ639В
КТ639Г
КТ639Д
КТ639Е
КТ639Ж
КТ639И
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ639А ≤200* пс
КТ639Б ≤200*
КТ639В ≤200*
КТ639Г ≤200*
КТ639Д ≤200*
КТ639Е ≤200*
КТ639Ж ≤200*
КТ639И ≤200*

 

Параметры транзистора КТ639-1
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ639А-1 0.5(30**) Вт
КТ639Б-1 0.5(30**)
КТ639В-1 0.5(30**)
КТ639Г-1 0.5(30**)
КТ639Д-1 0.5(30**)
КТ639Е-1 0.5(30**)
КТ639Ж-1 0.5(30**)
КТ639И-1 0.5(30**)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ639А-1 ≥80 МГц
КТ639Б-1 ≥80
КТ639В-1 ≥80
КТ639Г-1 ≥80
КТ639Д-1 ≥80
КТ639Е-1 ≥80
КТ639Ж-1 ≥80
 КТ639И-1 ≥80
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ639А-1 45 В
КТ639Б-1 45
КТ639В-1 45
КТ639Г-1 60
КТ639Д-1 60
КТ639Е-1 100*
КТ639Ж-1 100*
КТ639И-1 30
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ639А-1 5 В
КТ639Б-1 5
КТ639В-1 5
КТ639Г-1 5
КТ639Д-1 5
КТ639Е-1 5
КТ639Ж-1 5
КТ639И-1 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ639А-1 1.5(2*) А
КТ639Б-1 1.5(2*)
КТ639В-1 1.5(2*)
КТ639Г-1 1.5(2*)
КТ639Д-1 1.5(2*)
КТ639Е-1 1.5(2*)
КТ639Ж-1 1.5(2*)
КТ639И-1 1.5(2*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ639А-1 30 В ≤0.1 мкА
КТ639Б-1 30 В ≤0.1
КТ639В-1 30 В ≤0.1
КТ639Г-1 30 В ≤0.1
КТ639Д-1 30 В ≤0.1
КТ639Е-1 30 В ≤0.1
КТ639Ж-1 30 В ≤0.1
КТ639И-1 30 В ≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ639А-1 2 В; 0.15 А 40…100
КТ639Б-1 2 В; 0.15 А 40…160
КТ639В-1 2 В; 0.15 А 90…160
КТ639Г-1 2 В; 0.15 А 40…100
КТ639Д-1 2 В; 0.15 А 63…160
КТ639Е-1 2 В; 0.15 А 40…100
КТ639Ж-1 2 В; 0.15 А 63…160
КТ639И-1 2 В; 0.15 А 180…400
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ639А-1 10 В ≤50
пФ
КТ639Б-1 10 В ≤50
КТ639В-1 10 В ≤50
КТ639Г-1 10 В ≤50
КТ639Д-1 10 В ≤50
КТ639Е-1 10 В ≤50
КТ639Ж-1 10 В ≤50
КТ639И-1 10 В ≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ639А-1 ≤1 Ом, дБ
КТ639Б-1 ≤1
КТ639В-1 ≤1
КТ639Г-1 ≤1
КТ639Д-1 ≤1
КТ639Е-1 ≤1
КТ639Ж-1 ≤1
КТ639И-1 ≤1
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ639А-1 Дб, Ом, Вт
КТ639Б-1
КТ639В-1
КТ639Г-1
КТ639Д-1
КТ639Е-1
КТ639Ж-1
КТ639И-1
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ639А-1 ≤200* пс
КТ639Б-1 ≤200*
КТ639В-1 ≤200*
КТ639Г-1 ≤200*
КТ639Д-1 ≤200*
КТ639Е-1 ≤200*
КТ639Ж-1 ≤200*
КТ639И-1 ≤200*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.