Транзистор КТ640

Цоколевка транзистора КТ640
Цоколевка транзистора КТ640

 

Параметры транзистора КТ640
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ640А-2 60 °C 0.6 Вт
КТ640Б-2 60 °C 0.6
КТ640В-2 60 °C 0.6
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ640А-2 ≥3000 МГц
КТ640Б-2 ≥3800
КТ640В-2 ≥3800
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ640А-2 25 В
КТ640Б-2 25
КТ640В-2 25
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ640А-2 3 В
КТ640Б-2 3
КТ640В-2 3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ640А-2 60 мА
КТ640Б-2 60
КТ640В-2 60
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ640А-2 25 В ≤500 мкА
КТ640Б-2 25 В ≤500
КТ640В-2 25 В ≤500
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ640А-2 5 В; 5 мА ≥15*
КТ640Б-2 5 В; 5 мА ≥15*
КТ640В-2 5 В; 5 мА ≥15*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ640А-2 15 В ≤1.3
пФ
КТ640Б-2 15 В ≤1.3
КТ640В-2 15 В ≤1.3
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ640А-2 7 ГГц ≥6** Ом, дБ
КТ640Б-2 7 ГГц ≥6**
КТ640В-2 7 ГГц ≥6**
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ640А-2 6 ГГц; 7 ГГц ≤8; ≥0.1** Дб, Ом, Вт
КТ640Б-2 6 ГГц ≥0.1**
КТ640В-2 6 ГГц ≥0.08**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ640А-2 0.6 пс
КТ640Б-2 1
КТ640В-2 1

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.