Транзистор КТ642

Цоколевка транзистора КТ642
Цоколевка транзистора КТ642

 

Параметры транзисторов КТ642
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ642А-2 500 мВт
КТ642А-5 500
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ642А-2 МГц
КТ642А-5
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ642А-2 20 В
КТ642А-5 20
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ642А-2 2 В
КТ642А-5 2
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ642А-2 60 мА
КТ642А-5 60
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ642А-2 ≤1000 мкА
КТ642А-5 ≤1000
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ642А-2
КТ642А-5
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ642А-2 15 В ≤1.1 пФ
КТ642А-5 15 В ≤1.1
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ642А-2 8 ГГц ≥3.5** Ом, дБ
КТ642А-5 8 ГГц ≥3.5**
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ642А-2 8 ГГц ≥0.1** Дб, Ом, Вт
КТ642А-5 8 ГГц ≥0.1**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ642А-2 пс
КТ642А-5

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.