Транзистор КТ644

 

Цоколевка транзистора КТ644
Цоколевка транзистора КТ644

 

Параметры транзистора КТ644
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ644А 1(12.5*) Вт
КТ644Б 1(12.5*)
КТ644В 1(12.5*)
КТ644Г 1(12.5*)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ644А ≥200 МГц
КТ644Б ≥200
КТ644В ≥200
КТ644Г ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ644А 60 В
КТ644Б 60
КТ644В 40**
КТ644Г 40**
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ644А 5 В
КТ644Б 5
КТ644В 5
КТ644Г 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ644А 600(1000*) мА
КТ644Б 600(1000*)
КТ644В 600(1000*)
КТ644Г 600(1000*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ644А 50 В ≤0.1 мкА
КТ644Б 50 В ≤0.1
КТ644В 50 В ≤0.1
КТ644Г 50 В ≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ644А 10 В; 0.15 А 40…120*
КТ644Б 10 В; 0.15 А 100…300*
КТ644В 10 В; 0.15 А 40…120*
КТ644Г 10 В; 0.15 А 100…300*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ644А 10 В ≤8
пФ
КТ644Б 10 В ≤8
КТ644В 10 В ≤8
КТ644Г 10 В ≤8
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ644А ≤2.7 Ом, дБ
КТ644Б ≤2.7
КТ644В ≤2.7
КТ644Г ≤2.7
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ644А Дб, Ом, Вт
КТ644Б
КТ644В
КТ644Г
КТ644Д
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ644А ≤180* пс
КТ644Б ≤180*
КТ644В ≤180*
КТ644Г ≤180*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.