Транзистор КТ646

Цоколевка транзистора КТ646
Цоколевка транзистора КТ646

 

 

Параметры транзистора КТ646
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ646А 1(2.5*) Вт
КТ646Б 1
КТ646В 1
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ646А ≥200 МГц
КТ646Б ≥200
КТ646В ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ646А 60 В
КТ646Б 40
КТ646В 40
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ646А 4(5) В
КТ646Б 4
КТ646В 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ646А 1; 1.2* А
КТ646Б 1; 1.2*
КТ646В 1; 1.2*
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ646А 60 В ≤10 мкА
КТ646Б 40 В ≤10
КТ646В 40 В ≤10
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ646А 5 В; 0.2 А 40…200*
КТ646Б 5 В; 0.2 А 150…200*
КТ646В 5 В; 0.2 А 150…300*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ646А 10 В ≤10
пФ
КТ646Б 10 В ≤10
КТ646В 10 В ≤10
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ646А ≤1.7 Ом, дБ
КТ646Б ≤1.2
КТ646В ≤0.06
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ646А Дб, Ом, Вт
КТ646Б
КТ646В
КТ646Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ646А ≤120; ≤60* пс
КТ646Б ≤120; ≤60*
КТ646В ≤120; ≤60*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.