Транзистор КТ660

Цоколевка транзистора КТ660
Цоколевка транзистора КТ660

 

Параметры транзисторов КТ660
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ660А 500 мВт
КТ660Б 500
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ660А ≥200 МГц
КТ660Б ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ660А 50 В
КТ660Б 30
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ660А 5 В
КТ660Б 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ660А 800 мА
КТ660Б 800
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ660А 50 В ≤1 мкА
КТ660Б 30 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ660А 10 В; 0.2 А 110…220*
КТ660Б 10 В; 0.2 мА 200…450*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ660А 10 В ≤10 пФ
КТ660Б 10 В ≤10
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ660А ≤1 Ом, дБ
КТ660Б ≤1
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ660А Дб, Ом, Вт
КТ660Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ660А пс, нс ,нс
КТ660Б

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.