Транзистор КТ683

Цоколевка транзистора КТ683
Цоколевка транзистора КТ683

 

Параметры транзистора КТ683
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ683А ZTX655M1 *3, ZTX655 *3, ZТХ654 *3, 2N6720 *3
КТ683Б 2SC1624О *1, 2SC1624 *1, 2SC1625О *1, 2SC1625 *1
КТ683В MM5682HXV *1, ММ5682НХ *1, TN3020 *1, 2N5682 *1
КТ683Г МН8106 *1, 2N4001 *1, М8106 *1, BDCO1D *3, BSX46-6 *1, MJD243-1 *1, 2N5681 *3, KC639 *3, 2N2243L *3, 2N2243AL *3 
КТ683Д 2N6551 *3, BSX46-10 *1, ВС140С *1, ВС140В *1, BC140D *1, BSX45-16 *1, BSX45-10 *1
КТ683Е 2SD1615A *3, 2SD809(1)L *2, 2SD809(1) *2, 2SD809 *2, 2SD1615 *3, BSX46-16 *3, 2N2434 *3, BC140D *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ683А 1.2(8*) Вт
КТ683Б 1.2(8*)
КТ683В 1.2(8*)
КТ683Г 1.2(8*)
КТ683Д 1.2(8*)
КТ683Е 1.2(8*)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ683А ≥50 МГц
КТ683Б ≥50
КТ683В ≥50
КТ683Г ≥50
КТ683Д ≥50
КТ683Е ≥50
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ683А 150* В
КТ683Б 120*
КТ683В 120*
КТ683Г 100*
КТ683Д 60*
КТ683Е 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ683А 7 В
КТ683Б 7
КТ683В 7
КТ683Г 5
КТ683Д 5
КТ683Е 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ683А 1(2*) А
КТ683Б 1(2*)
КТ683В 1(2*)
КТ683Г 1(2*)
КТ683Д 1(2*)
КТ683Е 1(2*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ683А 90 В ≤1 мкА
КТ683Б 90 В ≤1
КТ683В 90 В ≤1
КТ683Г 40 В ≤1
КТ683Д 40 В ≤1
КТ683Е 40 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ683А 10 В; 0.15 А 40…120*
КТ683Б 10 В; 0.15 А 80…240*
КТ683В 10 В; 0.15 А 40…120*
КТ683Г 10 В; 0.15 А 40…120*
КТ683Д 10 В; 0.15 А 80…240*
КТ683Е 10 В; 0.15 А 160…480*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ683А 10 В ≤15
пФ
КТ683Б 10 В ≤15
КТ683В 10 В ≤15
КТ683Г 10 В ≤15
КТ683Д 10 В ≤15
КТ683Е 10 В ≤15
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ683А ≤3; ≤6.6* Ом, дБ
КТ683Б ≤3; ≤6.6*
КТ683В ≤3; ≤6.6*
КТ683Г ≤3; ≤6.6*
КТ683Д ≤3; ≤6.6*
КТ683Е ≤3; ≤6.6*
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ683А ≤8* Дб, Ом, Вт
КТ683Б ≤8*
КТ683В ≤8*
КТ683Г ≤8*
КТ683Д ≤8*
КТ683Е ≤8*
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ683А ≤500** пс
КТ683Б ≤500**
КТ683В ≤500**
КТ683Г ≤500**
КТ683Д ≤500**
КТ683Е ≤500**

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.