Транзистор КТ704

Цоколевка транзистора КТ704
Цоколевка транзистора КТ704

 

Параметры транзистора КТ704
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ704А 50 °C 15* Вт
КТ704Б 50 °C 15*
КТ704В 50 °C 15*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ704А ≥3 МГц
КТ704Б ≥3
КТ704В ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ704А 1000 имп. 500* В
КТ704Б 700 имп. 400*
КТ704В 500 имп. 400*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ704А 4 В
КТ704Б 4
КТ704В 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ704А 2.5(4*) А
КТ704Б 2.5(4*)
КТ704В 2.5(4*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ704А 1000 В ≤5* мкА
КТ704Б 700 В ≤5*
КТ704В 500 В ≤5*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ704А 15 В; 1 А 20…100*
КТ704Б 15 В; 1 А 10…100*
КТ704В 15 В; 1 А ≥10*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ704А 20 В ≤50
пФ
КТ704Б 20 В ≤50
КТ704В 20 В ≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ704А ≤2.5 Ом, дБ
КТ704Б ≤2.5
КТ704В ≤2.5
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ704А Дб, Ом, Вт
КТ704Б
КТ704В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ704А пс
КТ704Б
КТ704В

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.