Транзистор КТ802

Цоколевка транзисторов КТ802, КТ803, КТ805
Цоколевка транзисторов КТ802, КТ803, КТ805

 

Параметры транзистора КТ802
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ802А TIP29C *3, SDT1645 *1, BU311 *1, 2N4347 *1, SK3440 *1, 2N6474 *1, 2N1648 *3, BD241D *3, BDT41C *3, 2N6466 *3, 2N6465 *3, 2N6473 *3, 2N1620 *3, 2N1618 *3, BD241C *3, SSP62C *3, BDY24 *1
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ802А 50* Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ802А ≥10; ≥20 МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ802А 150; 180 В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ802А 3; 5 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ802А 5 А
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ802А 150 В ≤60 мА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ802А 10 В; 2 А ≥15*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ802А
пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ802А ≤1 Ом, дБ
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ802А Дб, Ом, Вт
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ802А пс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.