Транзистор КТ807

Цоколевка транзистора КТ807
Цоколевка транзистора КТ807

Цоколевка транзистора КТ807М
Цоколевка транзистора КТ807М

 

Параметры транзистора КТ807
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ807А(М) 70 °C 10* Вт
КТ807Б(М) 70 °C 10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ807А(М) ≥5 МГц
КТ807Б(М) ≥5
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ807А(М) (1к) 100* В
КТ807Б(М) (1к) 100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ807А(М) 4 В
КТ807Б(М) 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ807А(М) 0.5; 1.5* А
КТ807Б(М) 0.5; 1.5*
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ807А(М) 100 В ≤5* мА
КТ807Б(М) 100 В ≤5*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ807А(М) 5 В; 0.5 А 15…45*
КТ807Б(М) 5 В; 0.5 А 30…100*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ807А(М)
пФ
КТ807Б(М)
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ807А(М) ≤2 Ом, дБ
КТ807Б(М) ≤2
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ807А(М) Дб, Ом, Вт
КТ807Б(М)
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ807А(М) пс
КТ807Б(М)

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.