Транзистор КТ809

Цоколевка транзистора КТ809
Цоколевка транзистора КТ809

 

Параметры транзистора КТ809
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ809А 50 °C 40* Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ809А ≥5.1 МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ809А 0.01к 400* В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ809А 4 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ809А 3; 5* А
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ809А 400 В ≤3* мА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ809А 5 В; 2 А 15…100*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ809А 20 В ≤150 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ809А ≤0.75 Ом, дБ
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ809А Дб, Ом, Вт
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ809А ≤4000* пс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.