Транзистор КТ8102

Цоколевка транзисторов КТ8101, КТ8102
Цоколевка транзисторов КТ8101, КТ8102

 

Параметры транзистора КТ8102
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ8102А 2; 150* Вт
КТ8102Б 2; 150*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ8102А ≥10 МГц
КТ8102Б ≥10
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ8102А 200 В
КТ8102Б 160
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ8102А 6 В
КТ8102Б 6
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ8102А 16; 25* А
КТ8102Б 16; 25*
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ8102А 200 В ≤1* мА
КТ8102Б 180 В ≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ8102А 10 В; 2 А ≥20*
КТ8102Б 10 В; 2 А ≥20*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ8102А 5 В ≤1000 пФ
КТ8102Б 5 В ≤1000
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ8102А ≤3.3 Ом, дБ
КТ8102Б ≤3.3
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ8102А Дб, Ом, Вт
КТ8102Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ8102А пс
КТ8102Б

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.