Транзистор КТ8110

Цоколевка транзистора КТ8110
Цоколевка транзистора КТ8110

 

Параметры транзистора КТ8110
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ8110А 2; 60* Вт
КТ8110Б 2; 60*
КТ8110В 2; 60*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ8110А ≥20 МГц
КТ8110Б ≥20
КТ8110В ≥20
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ8110А 500 В
КТ8110Б 500; 400*
КТ8110В 500; 350*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ8110А 5 В
КТ8110Б 5
КТ8110В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ8110А 7(14*) А
КТ8110Б 7(14*)
КТ8110В 7(14*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ8110А 500 В ≤1000 мА
КТ8110Б 400 В ≤100
КТ8110В 400 В ≤100
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ8110А 5 В; 0.8 А 15…30*
КТ8110Б 5 В; 0.8 А 15…30*
КТ8110В 5 В; 0.8 А 15…30*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ8110А
пФ
КТ8110Б
КТ8110В
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ8110А ≤0.2 Ом, дБ
КТ8110Б ≤0.2
КТ8110В ≤0.2
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ8110А Дб, Ом, Вт
КТ8110Б
КТ8110В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ8110А ≤2500* пс
КТ8110Б ≤2500*
КТ8110В ≤2500*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.