Транзистор КТ8114

Цоколевка транзистора КТ8114
Цоколевка транзистора КТ8114

 

Параметры транзистора КТ8114
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ8114А 125* Вт
КТ8114Б 125*
КТ8114В 100*
КТ8114Г 100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ8114А МГц
КТ8114Б
КТ8114В
КТ8114Г
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ8114А 1500* В
КТ8114Б 1200*
КТ8114В 1200*
КТ8114Г 1500*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ8114А 6 В
КТ8114Б 6
КТ8114В 6
КТ8114Г 6
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ8114А 8(15*) А
КТ8114Б 8(15*)
КТ8114В 8(15*)
КТ8114Г 8(15*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ8114А 1500 В ≤0.1 мА
КТ8114Б 1200 В ≤0.1
КТ8114В 1200 В ≤0.1
КТ8114Г 1500 В ≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ8114А 5 В; 0.7 А 8…40*
КТ8114Б 5 В; 0.03 А ≥6*
КТ8114В 5 В; 0.03 А ≥6*
КТ8114Г 5 В; 0.7 А 8…40*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ8114А
пФ
КТ8114Б
КТ8114В
КТ8114Г
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ8114А ≤0.25 Ом, дБ
КТ8114Б ≤0.25
КТ8114В ≤0.25
КТ8114Г ≤0.25
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ8114А Дб, Ом, Вт
КТ8114Б
КТ8114В
КТ8114Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ8114А tсп=0.5 мкс пс
КТ8114Б tсп=0.5 мкс
КТ8114В tсп=0.5 мкс
КТ8114Г tсп=0.5 мкс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.