Транзистор КТ8115

Цоколевка транзистора КТ8115
Цоколевка транзистора КТ8115

 

Параметры транзистора КТ8115
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ8115А 65* Вт
КТ8115Б 65*
КТ8115В 65*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ8115А ≥4 МГц
КТ8115Б ≥4
КТ8115В ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ8115А 100 В
КТ8115Б 80
КТ8115В 60
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ8115А 5 В
КТ8115Б 5
КТ8115В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ8115А 8(16*) А
КТ8115Б 8(16*)
КТ8115В 8(16*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ8115А 100 В ≤0.2 мА
КТ8115Б 80 В ≤0.2
КТ8115В 60 В ≤0.2
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ8115А 3 В; 0.5…3 А ≥1000*
КТ8115Б 3 В; 0.5…3 А ≥1000*
КТ8115В 3 В; 0.5…3 А ≥1000*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ8115А
пФ
КТ8115Б
КТ8115В
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ8115А ≤0.7 Ом, дБ
КТ8115Б ≤0.7
КТ8115В ≤0.7
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ8115А Дб, Ом, Вт
КТ8115Б
КТ8115В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ8115А пс
КТ8115Б
КТ8115В

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.