Транзистор КТ812

Цоколевка транзистора КТ812
Цоколевка транзистора КТ812

 

Параметры транзистора КТ812
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ812А BDY94
КТ812Б BU106
КТ812В BDY25
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ812А 50 °C 50* Вт
КТ812Б 50 °C 50*
КТ812В 50 °C 50*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ812А ≥3 МГц
КТ812Б ≥3
КТ812В ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ812А 0.01к 400* В
КТ812Б 0.01к 300*
КТ812В 0.01к 200*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ812А 7 В
КТ812Б 7
КТ812В 7
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ812А 8(12*) А
КТ812Б 8(12*)
КТ812В 8(12*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ812А 700 В ≤5* мА
КТ812Б 500 В ≤5*
КТ812В 300 В ≤5*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ812А 2.5 В; 8 А ≥4*
КТ812Б 2.5 В; 8 А ≥4*
КТ812В 5 В; 5 А ≥10*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ812А 100 В ≤100 пФ
КТ812Б 100 В ≤100
КТ812В 100 В ≤100
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ812А ≤0.3 Ом, дБ
КТ812Б ≤0.3
КТ812В ≤0.3
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ812А Дб, Ом, Вт
КТ812Б
КТ812В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ812А tсп≤1.3 мкс пс
КТ812Б tсп≤1.3 мкс
КТ812В tсп≤1.3 мкс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.