Транзистор КТ8126

Цоколевка транзисторов КТ8126, КТ8125
Цоколевка транзисторов КТ8126, КТ8125

 

Параметры транзистора КТ8126
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ8126А1 MJE 13007
КТ8126Б1 MJE 13006
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ8126А1 80* Вт
КТ8126Б1 80*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ8126А1 ≥4 МГц
КТ8126Б1 ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ8126А1 0.01к 700; 400** В
КТ8126Б1 0.01к 600; 600**
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ8126А1 9 В
КТ8126Б1 9
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ8126А1 8(16*) А
КТ8126Б1 8(16*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ8126А1 700 В ≤1* мА
КТ8126Б1 600 В ≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ8126А1 5 В; 2 А 8…60*
КТ8126Б1 5 В; 2 А 8…60*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ8126А1 пФ
КТ8126Б1
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ8126А1 ≤0.5 Ом, дБ
КТ8126Б1 ≤0.5
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ8126А1 Дб, Ом, Вт
КТ8126Б1
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ8126А1 1.7* мкс пс
КТ8126Б1 1.7* мкс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.