Транзистор КТ814

Цоколевка транзистора КТ814
Цоколевка транзистора КТ814

 

Параметры транзистора КТ814
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ814А TIP30
КТ814Б BD166, MJE710
КТ814В BD168, MJE711
КТ814Г BD170, MJE712
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ814А 1(10*) Вт
КТ814Б 10*
КТ814В 10*
КТ814Г 10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ814А ≥3 МГц
КТ814Б ≥3
КТ814В ≥3
КТ814Г ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ814А 0.1к 40* В
КТ814Б 0.1к 50*
КТ814В 0.1к 70*
КТ814Г 0.1к 100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ814А 5 В
КТ814Б 5
КТ814В 5
КТ814Г 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ814А 1.5(3*) А
КТ814Б 1.5(3*)
КТ814В 1.5(3*)
КТ814Г 1.5(3*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ814А 40 В ≤0.05 мА
КТ814Б 40 В ≤0.05
КТ814В 40 В ≤0.05
КТ814Г 40 В ≤0.05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ814А 2 В; 0.15 А ≥40*
КТ814Б 2 В; 0.15 А ≥40*
КТ814В 2 В; 0.15 А ≥40*
КТ814Г 2 В; 0.15 А ≥30*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ814А 5 В ≤60 пФ
КТ814Б 5 В ≤60
КТ814В 5 В ≤60
КТ814Г 5 В ≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ814А ≤1.2 Ом, дБ
КТ814Б ≤1.2
КТ814В ≤1.2
КТ814Г ≤1.2
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ814А Дб, Ом, Вт
КТ814Б
КТ814В
КТ814Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ814А пс
КТ814Б
КТ814В
КТ814Г

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.