Транзистор КТ817

Цоколевка транзистора КТ817
Цоколевка транзистора КТ817

 

Параметры транзистора КТ817
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ817А BD433, TIP31, 2N4231 *1, 2SD226 *3, SDT4307 *3, SDT4301 *3, HSE2000 *3, ZT1483A *1, KSH31 *3, 2N1483A *1, MJE520
КТ817Б BD175, BD233, BD175, BD633 *3, 2N4231 *1, 2SD226 *3, SDT4307 *3, SDT4301 *3, ZT1483A *1, KSH31 *1, 2N1483A *1
КТ817В BD177. BD235, 2N4232 *1, 2N1079 *1, 2SD226A *3, SDT4308 *3, SDT4302 *3, BD635 *3, ZT1484A *1, 2N1484A *1
КТ817Г BD179, BD237, MJD31C *1, CJD31C *1, 2N3676 *1, 2SD129 *1, BD179, 2N4233 *1, 2SD390A *3, 2SD389A *3, 2SD366A *3, 2SD365A *3, 2SD318A *3, 2SD317A *3
КТ817Б-2 2SD880, BD933 *3, KD233 *2, BD233 *2,  BD813 *2, 2SD235Y *1, 2SD1189FQ, 2SD1189FP, 

2SD1189F, 2SD235G-Y *1

КТ817Г-2 BD179-16, 2SC1826, BD179-16 *1, PG1013 *1, BD179-10 *3, 2SD1381FQ, 2SD1381FP, 

2SD1381F, PG1012 *3, 2SD880Y *3, 2SD1902R *3

Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ817А 25* Вт
КТ817Б 25*
КТ817В 25*
КТ817Г 25*
КТ817Б-2 25*
КТ817Г-2 25*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ817А ≥3 МГц
КТ817Б ≥3
КТ817В ≥3
КТ817Г ≥3
КТ817Б-2 ≥3
КТ817Г-2 ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ817А 40* В
КТ817Б 45*
КТ817В 60*
КТ817Г 100*
КТ817Б-2 45*
КТ817Г-2 100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ817А 5 В
КТ817Б 5
КТ817В 5
КТ817Г 5
КТ817Б-2 5
КТ817Г-2 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ817А 3(6*) А
КТ817Б 3(6*)
КТ817В 3(6*)
КТ817Г 3(6*)
КТ817Б-2 3(6*)
КТ817Г-2 3(6*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ817А 25 В ≤0.1 мА
КТ817Б 45 В ≤0.1
КТ817В 60 В ≤0.1
КТ817Г 100 В ≤0.1
КТ817Б-2 40 В ≤0.1
КТ817Г-2 40 В ≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ817А 2 В; 1 А ≥25*
КТ817Б 2 В; 1 А ≥25*
КТ817В 2 В;1 А ≥25*
КТ817Г 2 В; 1 А ≥25*
КТ817Б-2 5 В; 50 мА ≥100*
КТ817Г-2 5 В; 50 мА ≥100*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ817А 10 В ≤60 пФ
КТ817Б 10 В ≤60
КТ817В 10 В ≤60
КТ817Г 10 В ≤60
КТ817Б-2 10 В ≤60
КТ817Г-2 10 В ≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ817А ≤0.6 Ом, дБ
КТ817Б ≤0.6
КТ817В ≤0.6
КТ817Г ≤0.6
КТ817Б-2 ≤0.08
КТ817Г-2 ≤0.08
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ817А Дб, Ом, Вт
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
КТ817Б-2
КТ817Г-2
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ817А пс
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
КТ817Б-2
КТ817Г-2

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.