Транзистор КТ818

Цоколевка транзистора КТ818
Цоколевка транзистора КТ818

Цоколевка транзистора КТ818М
Цоколевка транзистора КТ818М

Цоколевка транзистора КТ818-1
Цоколевка транзистора КТ818-1

 

Параметры транзистора КТ818
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ818А BD292, BD202, 2N6132 *2, TIP42 *2
КТ818Б BD202, BDT92, 40876, BD664, 

BD244 *2, BD246 *2

КТ818В BD204, BDT94, RCA1C08, 

BD500A,  BD244A *2

КТ818Г BD538, BDT96, BD500B *2, NTE197 *2, ECG197 *2, BDW22B *3, BD710, BD244B *2
КТ818АМ 2N6469, BDW52, MJ2901
КТ818БМ BDW22, BDX92, 2N6469, BDW52
КТ818ВМ BDW52A, 2N5867, 2N6246 *2, BDX18N, 2N5879, BDW52A, 

MJ2940 *2, 2N5875 *2, 2N4908 *2, BDX92 *2

КТ818ГМ BDW22C, BDX18, SM2183 *1, АР1119, BD910 *1, BD710 *3, BDW22B *2
КТ818А-1 BD546C, MJE1290 *1, TIP34F *3
КТ818Б-1 BD546B, BD906 *3, BDW52 *1, BD706 *1, BD664 *3, TIP74 *3
КТ818В-1 BD546A, BD908, BD500A, 

BD708 *2, BD244A *2

КТ818Г-1 BD546, АР1119 *1, BD910, BD710 *2, SM2183
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ818А 60* Вт
КТ818Б 60*
КТ818В 60*
КТ818Г 60*
КТ818АМ 100*
КТ818БМ 100*
КТ818ВМ 100*
КТ818ГМ 100*
КТ818А-1 100*
КТ818Б-1 100*
КТ818В-1 100*
КТ818Г-1 100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ818А(М,-1) ≥3 МГц
КТ818Б(М,-1) ≥3
КТ818В(М,-1) ≥3
КТ818Г(М,-1) ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ818А(М,-1) 0.1к 40* В
КТ818Б(М,-1) 0.1к 50*
КТ818В(М,-1) 0.1к 70*
КТ818Г(М,-1) 0.1к 90*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ818А(М,-1) 5 В
КТ818Б(М,-1) 5
КТ818В(М,-1) 5
КТ818Г(М,-1) 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ818А 10(15*) А
КТ818Б 10(15*)
КТ818В 10(15*)
КТ818Г 10(15*)
КТ818АМ(-1) 15(20*)
КТ818БМ(-1) 15(20*)
КТ818ВМ(-1) 15(20*)
КТ818ГМ(-1) 15(20*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ818А(М,-1) 40 В ≤1 мА
КТ818Б(М,-1) 40 В ≤1
КТ818В(М,-1) 40 В ≤1
КТ818Г(М,-1) 40 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ818А(М,-1) 5 В; 5 А ≥15*
КТ818Б(М,-1) 5 В; 5 А ≥20*
КТ818В(М,-1) 5 В; 5 А ≥15*
КТ818Г(М,-1) 5 В; 5 А ≥12*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ818А(М,-1) 5 В ≤1000 пФ
КТ818Б(М,-1) 5 В ≤1000
КТ818В(М,-1) 5 В ≤1000
КТ818Г(М,-1) 5 В ≤1000
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ818А(М) ≤0.27 Ом, дБ
КТ818Б(М) ≤0.27
КТ818В(М) ≤0.27
КТ818Г(М) ≤0.27
КТ818А-1 ≤0.4
КТ818Б-1 ≤0.4
КТ818В-1 ≤0.4
КТ818Г-1 ≤0.4
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ818А(М,-1) Дб, Ом, Вт
КТ818Б(М,-1)
КТ818В(М,-1)
КТ818Г(М,-1)
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ818А(М,-1) ≤2500** пс
КТ818Б(М,-1) ≤2500**
КТ818В(М,-1) ≤2500**
КТ818Г(М,-1) ≤2500**

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.