Транзистор КТ818

Цоколевка транзистора КТ818
Цоколевка транзистора КТ818

Цоколевка транзистора КТ818М
Цоколевка транзистора КТ818М

Цоколевка транзистора КТ818-1
Цоколевка транзистора КТ818-1

 

Параметры транзистора КТ818
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ818А BD292, BD202
КТ818Б BD202, BDT92
КТ818В BD204, BDT94
КТ818Г BD538, BDT96
КТ818АМ 2N6469, BDW52
КТ818БМ BDW22, BDX92
КТ818ВМ BDW52A, 2N5867
КТ818ГМ BDW22C, BDX18
КТ818А-1 BD546C
КТ818Б-1 BD546B
КТ818В-1 BD546A
КТ818Г-1 BD546
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ818А 60* Вт
КТ818Б 60*
КТ818В 60*
КТ818Г 60*
КТ818АМ 100*
КТ818БМ 100*
КТ818ВМ 100*
КТ818ГМ 100*
КТ818А-1 100*
КТ818Б-1 100*
КТ818В-1 100*
КТ818Г-1 100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ818А(М,-1) ≥3 МГц
КТ818Б(М,-1) ≥3
КТ818В(М,-1) ≥3
КТ818Г(М,-1) ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ818А(М,-1) 0.1к 40* В
КТ818Б(М,-1) 0.1к 50*
КТ818В(М,-1) 0.1к 70*
КТ818Г(М,-1) 0.1к 90*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ818А(М,-1) 5 В
КТ818Б(М,-1) 5
КТ818В(М,-1) 5
КТ818Г(М,-1) 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ818А 10(15*) А
КТ818Б 10(15*)
КТ818В 10(15*)
КТ818Г 10(15*)
КТ818АМ(-1) 15(20*)
КТ818БМ(-1) 15(20*)
КТ818ВМ(-1) 15(20*)
КТ818ГМ(-1) 15(20*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ818А(М,-1) 40 В ≤1 мА
КТ818Б(М,-1) 40 В ≤1
КТ818В(М,-1) 40 В ≤1
КТ818Г(М,-1) 40 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ818А(М,-1) 5 В; 5 А ≥15*
КТ818Б(М,-1) 5 В; 5 А ≥20*
КТ818В(М,-1) 5 В; 5 А ≥15*
КТ818Г(М,-1) 5 В; 5 А ≥12*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ818А(М,-1) 5 В ≤1000 пФ
КТ818Б(М,-1) 5 В ≤1000
КТ818В(М,-1) 5 В ≤1000
КТ818Г(М,-1) 5 В ≤1000
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ818А(М) ≤0.27 Ом, дБ
КТ818Б(М) ≤0.27
КТ818В(М) ≤0.27
КТ818Г(М) ≤0.27
КТ818А-1 ≤0.4
КТ818Б-1 ≤0.4
КТ818В-1 ≤0.4
КТ818Г-1 ≤0.4
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ818А(М,-1) Дб, Ом, Вт
КТ818Б(М,-1)
КТ818В(М,-1)
КТ818Г(М,-1)
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ818А(М,-1) ≤2500** пс
КТ818Б(М,-1) ≤2500**
КТ818В(М,-1) ≤2500**
КТ818Г(М,-1) ≤2500**

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.