Транзистор КТ819

Цоколевка транзистора КТ819
Цоколевка транзистора КТ819

 

Параметры транзистора КТ819
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ819А BD2921, TIP41, 2SC1354 *3, SDT9307 *3, SDT9304 *3, SDT9301 *3, TIP41 *2, SSP82 *3
КТ819Б BD202, BDT91, 40875, BD278A, BD278,

BD245, 40624 *2, BD663, BD553 *2

КТ819В BD201, BDT93, 2SC2098 *2, 2N5493, 2N5492, 

TIP3055T, STI3055T, 

РН3055Т,  MJE3055T,  

BD501A *2, 2N6099, 2N6098, 

BDX71,  BDT91, BD535 *2, KSE3055T, BEL3055, 

2N6099E

 

КТ819Г BD203, BDT95, BD711 *2, BDW21C *1, BLY17A *3, TIP41С *2, SSP82C *3, SDT9309 *3, SDT9306 *3, SDT9303 *3, 2SC681AYL *3, 2SC681ARD *3, 2N4130 *3
КТ819АМ BD181,BD130, MJ2801, 1561-0404, BD142, MJE1660 *1, SDT9307 *2, SDT9304 *2, SDT9301 *2, BDX13, BLV38 *3, 40251, 40325, 2N3055/5
КТ819БМ BD142, BDW21A, 2N6470, 2N3667 *2, BD743 *1, BDW51, BDW21 *2, SDT9201, BD245 *3, SDT9205 *2
КТ819ВМ BD182, BDX91, BD207 *3, BDW21A *2, BD907 *1, BDS10 *1, BDS10SM
КТ819ГМ BD183, 2N3055, 2N6371HV, 

BD711 *3, BDW21C *2, SDT9208, 2N3055/7, 

2N3055/6, 2N3239 *2, 2N3238 *2, BD909 *3, BDW21B *2, SDT9207 *2

КТ819А-1 BD545C, MJE1660 *2, BLV38 *3
КТ819Б-1 BD545B, 2N3667 *1, 2N6253 *1, BD278 *3, BD278A *3, BD743 *1, BD705 *1
КТ819В-1 BD545A, 40363 *3, BD207 *3, BD501A *3, BDS10SM *1, BDS10 *1, BD907 *1
КТ819Г-1 BD545, 2N3236 *1, 2N3239 *3, 2N3238 *3, BD909 *1, BD709 *3, SDT9207 *3, SM2176 *1
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ819А 1.5; 60* Вт
КТ819Б 1.5; 60*
КТ819В 1.5; 60*
КТ819Г 1.5; 60*
КТ819АМ 2; 100*
КТ819БМ 2; 100*
КТ819ВМ 2; 100*
КТ819ГМ 2; 100*
КТ819А-1 2; 100*
КТ819Б-1 2; 100*
КТ819В-1 2; 100*
КТ819Г-1 2; 100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ819А(М,-1) ≥3 МГц
КТ819Б(М,-1) ≥3
КТ819В(М,-1) ≥3
КТ819Г(М,-1) ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ819А(М,-1) 0.1к 40* В
КТ819Б(М,-1) 0.1к 50*
КТ819В(М,-1) 0.1к 70*
КТ819Г(М) 0.1к 100*
КТ819Г-1 0.1к 90*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ819А(М,-1) 5 В
КТ819Б(М,-1) 5
КТ819В(М,-1) 5
КТ819Г(М,-1) 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ819А 10(15*) А
КТ819Б 10(15*)
КТ819В 10(15*)
КТ819Г 10(15*)
КТ819АМ(-1) 15(20*)
КТ819БМ(-1) 15(20*)
КТ819ВМ(-1) 15(20*)
КТ819ГМ(-1) 15(20*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ819А(М,-1) 40 В ≤1 мА
КТ819Б(М,-1) 40 В ≤1
КТ819В(М,-1) 40 В ≤1
КТ819Г(М,-1) 40 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ819А(М,-1) 5 В; 5 А ≥15*
КТ819Б(М,-1) 5 В; 5 А ≥20*
КТ819В(М,-1) 5 В; 5 А ≥15*
КТ819Г(М,-1) 5 В; 5 А ≥12*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ819А(М,-1) 5 В ≤1000 пФ
КТ819Б(М,-1) 5 В ≤1000
КТ819В(М,-1) 5 В ≤1000
КТ819Г(М,-1) 5 В ≤1000
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ819А(М) ≤0.4 Ом, дБ
КТ819Б(М) ≤0.4
КТ819В(М) ≤0.4
КТ819Г(М) ≤0.4
КТ819А-1 ≤1
КТ819Б-1 ≤1
КТ819В-1 ≤1
КТ819Г-1 ≤1
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ819А(М,-1) Дб, Ом, Вт
КТ819Б(М,-1)
КТ819В(М,-1)
КТ819Г(М,-1)
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ819А(М,-1) ≤2500** пс
КТ819Б(М,-1) ≤2500**
КТ819В(М,-1) ≤2500**
КТ819Г(М,-1) ≤2500**

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.