Транзистор КТ819

Цоколевка транзистора КТ819
Цоколевка транзистора КТ819

 

Параметры транзистора КТ819
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ819А BD2921, TIP41
КТ819Б BD202, BDT91
КТ819В BD201, BDT93
КТ819Г BD203, BDT95
КТ819АМ BD181,BD130
КТ819БМ BD142, BDW21A
КТ819ВМ BD182, BDX91
КТ819ГМ BD183, 2N3055
КТ819А-1 BD545C
КТ819Б-1 BD545B
КТ819В-1 BD545A
КТ819Г-1 BD545
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ819А 1.5; 60* Вт
КТ819Б 1.5; 60*
КТ819В 1.5; 60*
КТ819Г 1.5; 60*
КТ819АМ 2; 100*
КТ819БМ 2; 100*
КТ819ВМ 2; 100*
КТ819ГМ 2; 100*
КТ819А-1 2; 100*
КТ819Б-1 2; 100*
КТ819В-1 2; 100*
КТ819Г-1 2; 100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ819А(М,-1) ≥3 МГц
КТ819Б(М,-1) ≥3
КТ819В(М,-1) ≥3
КТ819Г(М,-1) ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ819А(М,-1) 0.1к 40* В
КТ819Б(М,-1) 0.1к 50*
КТ819В(М,-1) 0.1к 70*
КТ819Г(М) 0.1к 100*
КТ819Г-1 0.1к 90*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ819А(М,-1) 5 В
КТ819Б(М,-1) 5
КТ819В(М,-1) 5
КТ819Г(М,-1) 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ819А 10(15*) А
КТ819Б 10(15*)
КТ819В 10(15*)
КТ819Г 10(15*)
КТ819АМ(-1) 15(20*)
КТ819БМ(-1) 15(20*)
КТ819ВМ(-1) 15(20*)
КТ819ГМ(-1) 15(20*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ819А(М,-1) 40 В ≤1 мА
КТ819Б(М,-1) 40 В ≤1
КТ819В(М,-1) 40 В ≤1
КТ819Г(М,-1) 40 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ819А(М,-1) 5 В; 5 А ≥15*
КТ819Б(М,-1) 5 В; 5 А ≥20*
КТ819В(М,-1) 5 В; 5 А ≥15*
КТ819Г(М,-1) 5 В; 5 А ≥12*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ819А(М,-1) 5 В ≤1000 пФ
КТ819Б(М,-1) 5 В ≤1000
КТ819В(М,-1) 5 В ≤1000
КТ819Г(М,-1) 5 В ≤1000
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ819А(М) ≤0.4 Ом, дБ
КТ819Б(М) ≤0.4
КТ819В(М) ≤0.4
КТ819Г(М) ≤0.4
КТ819А-1 ≤1
КТ819Б-1 ≤1
КТ819В-1 ≤1
КТ819Г-1 ≤1
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ819А(М,-1) Дб, Ом, Вт
КТ819Б(М,-1)
КТ819В(М,-1)
КТ819Г(М,-1)
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ819А(М,-1) ≤2500** пс
КТ819Б(М,-1) ≤2500**
КТ819В(М,-1) ≤2500**
КТ819Г(М,-1) ≤2500**

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.