Транзистор КТ822

Цоколевка транзисторов КТ822, КТ823
Цоколевка транзисторов КТ822, КТ823

 

Параметры транзистора КТ822
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ822А-1 20* Вт
КТ822Б-1 20*
КТ822В-1 20*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ822А-1 ≥3 МГц
КТ822Б-1 ≥3
КТ822В-1 ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ822А-1 0.1к 45* В
КТ822Б-1 0.1к 60*
КТ822В-1 0.1к 100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ822А-1 5 В
КТ822Б-1 5
КТ822В-1 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ822А-1 2(4*) А
КТ822Б-1 2(4*)
КТ822В-1 2(4*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ822А-1 40 В ≤50 мкА
КТ822Б-1 40 В ≤50
КТ822В-1 40 В ≤50
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ822А-1 2 В; 1 А ≥25*
КТ822Б-1 2 В; 1 А ≥25*
КТ822В-1 2 В;1 А ≥25*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ822А-1 10 В ≤115 пФ
КТ822Б-1 10 В ≤115
КТ822В-1 10 В ≤115
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ822А-1 ≤0.6 Ом, дБ
КТ822Б-1 ≤0.6
КТ822В-1 ≤0.6
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ822А-1 Дб, Ом, Вт
КТ822Б-1
КТ822В-1
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ822А-1 пс
КТ822Б-1
КТ822В-1

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.