Транзистор КТ8232

Цоколевка и внутренняя схема транзистора КТ8232
Цоколевка и внутренняя схема транзистора КТ8232

 

Параметры транзистора КТ8232
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ8232А1 125* Вт
КТ8232Б1 125*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ8232А1 МГц
КТ8232Б1
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ8232А1 350 В
КТ8232Б1 350
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ8232А1 5 В
КТ8232Б1 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ8232А1 20 А
КТ8232Б1 20
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ8232А1 мА
КТ8232Б1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ8232А1 10 В; 5 А 300..8000
КТ8232Б1 10 В; 5 А 300…8000
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ8232А1 100 В пФ
КТ8232Б1 100 В
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ8232А1 ≤0.18 Ом, дБ
КТ8232Б1 ≤0.18
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ8232А1 Дб, Ом, Вт
КТ8232Б1
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ8232А1 пс
КТ8232Б1

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.