Транзистор КТ825

Цоколевка транзисторов КТ825, КТ826
Цоколевка транзисторов КТ825, КТ826

 

Параметры транзистора КТ825
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ825Г BDX62A, MJ4031
КТ825Д BDX62, MJ2500
КТ825Е BDX86
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ825Г 125* Вт
КТ825Д 125*
КТ825Е 125*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ825Г ≥4 МГц
КТ825Д ≥4
КТ825Е ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ825Г 0.1к 90* В
КТ825Д 0.1к 60*
КТ825Е 0.1к 30*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ825Г 5 В
КТ825Д 5
КТ825Е 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ825Г 20(30*) А
КТ825Д 20(30*)
КТ825Е 20(30*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ825Г 90 В ≤1* мА
КТ825Д 60 В ≤1*
КТ825Е 30 В ≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ825Г 10 В; 10 А ≥750*
КТ825Д 10 В; 10 А ≥750*
КТ825Е 10 В; 10 А ≥750*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ825Г 10 В ≤600 пФ
КТ825Д 10 В ≤600
КТ825Е 10 В ≤600
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ825Г ≤0.4 Ом, дБ
КТ825Д ≤0.4
КТ825Е ≤0.4
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ825Г Дб, Ом, Вт
КТ825Д
КТ825Е
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ825Г ≤4.5**мкс пс
КТ825Д ≤4.5**мкс
КТ825Е ≤4.5**мкс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.