Транзистор КТ826

Цоколевка транзисторов КТ825, КТ826
Цоколевка транзисторов КТ825, КТ826

 

Параметры транзистора КТ826
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ826А BU132
КТ826Б 2SD312
КТ826В BU132
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ826А 50  °C 15* Вт
КТ826Б 50  °C 15*
КТ826В 50  °C 15*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ826А ≥6 МГц
КТ826Б ≥6
КТ826В ≥6
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ826А 0.01к 700* В
КТ826Б 0.01к 700*
КТ826В 0.01к 700*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ826А 5 В
КТ826Б 5
КТ826В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ826А 1 А
КТ826Б 1
КТ826В 1
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ826А 700 В ≤2 мА
КТ826Б 700 В ≤2
КТ826В 700 В ≤2
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ826А 10 В; 0.1 А 10..120*
КТ826Б 10 В; 0.1 А 5…300*
КТ826В 10 В; 0.1 А 5…120*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ826А 100 В ≤25 пФ
КТ826Б 100 В ≤25
КТ826В 100 В ≤25
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ826А ≤5 Ом, дБ
КТ826Б ≤5
КТ826В ≤5
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ826А Дб, Ом, Вт
КТ826Б
КТ826В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ826А tсп≤1500 пс
КТ826Б tсп≤700
КТ826В tсп≤700

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.