Транзистор КТ829

Цоколевка транзистора КТ829
Цоколевка транзистора КТ829

Цоколевка транзистора КТ829(Т-М)
Цоколевка транзистора КТ829(Т-М)

 

Описание

Транзисторы кремниевые мезапланарные составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах.  Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2 г.

 

Параметры транзистора КТ829
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ829А BD267B, TIP122
КТ829Б BD267A, BD263, TIP121
КТ829В BD331, TIP120
КТ829Г BD665, BD675
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ829А 60* Вт
КТ829Б 60*
КТ829В 60*
КТ829Г 60*
КТ829АТ 50
КТ829АП 50
КТ829АМ 60
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ829А ≥4 МГц
КТ829Б ≥4
КТ829В ≥4
КТ829Г ≥4
КТ829АТ ≥4
КТ829АП ≥4
КТ829АМ ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ829А 100* В
КТ829Б 80*
КТ829В 60*
КТ829Г 45*
КТ829АТ 100
КТ829АП 160
КТ829АМ 240
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ829А 5 В
КТ829Б 5
КТ829В 5
КТ829Г 5
КТ829АТ 5
КТ829АП 5
КТ829АМ 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ829А 8(12*) А
КТ829Б 8(12*)
КТ829В 8(12*)
КТ829Г 8(12*)
КТ829АТ 5
КТ829АП 5
КТ829АМ 8
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ829А 100 В ≤1.5* мА
КТ829Б 80 В ≤1.5*
КТ829В 60 В ≤1.5*
КТ829Г 60 В ≤1.5*
КТ829АТ
КТ829АП
КТ829АМ
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ829А 3 В; 3 А ≥750*
КТ829Б 3 В; 3 А ≥750*
КТ829В 3 В; 3 А ≥750*
КТ829Г 3 В; 3 А ≥750*
КТ829АТ ≥1000
КТ829АП ≥700
КТ829АМ 400…3000
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ829А ≤120 пФ
КТ829Б ≤120
КТ829В ≤120
КТ829Г ≤120
КТ829АТ
КТ829АП
КТ829АМ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ829А ≤0.57 Ом, дБ
КТ829Б ≤0.57
КТ829В ≤0.57
КТ829Г ≤0.57
КТ829АТ ≤0.3
КТ829АП ≤0.25
КТ829АМ ≤0.66
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ829А Дб, Ом, Вт
КТ829Б
КТ829В
КТ829Г
КТ829АТ
КТ829АП
КТ829АМ
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ829А пс
КТ829Б
КТ829В
КТ829Г
КТ829АТ
КТ829АП
КТ829АМ

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

 

Входные характеристики
Входные характеристики

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора

Зависимость напряжения насыщения коллектор - эмиттер от Iк/Iб
Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от Iк/Iб

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер
Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер

Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса
Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса

Область максимальных режимов
Область максимальных режимов