Транзистор КТ830

Цоколевка транзистора КТ830
Цоколевка транзистора КТ830

 

Параметры транзистора КТ830
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ830А 2N5781, 2N4234
КТ830Б 2N4235
КТ830В 2N4236, SML3552
КТ830Г 2N4236
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ830А 5* Вт
КТ830Б 5*
КТ830В 5*
КТ830Г 5*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ830А ≥4 МГц
КТ830Б ≥4
КТ830В ≥4
КТ830Г ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ830А 35 В
КТ830Б 60
КТ830В 80
КТ830Г 100
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ830А 5 В
КТ830Б 5
КТ830В 5
КТ830Г 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ830А 2; 4* А
КТ830Б 2; 4*
КТ830В 2; 4*
КТ830Г 2; 4*
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ830А 35 В ≤0.1 мА
КТ830Б 60 В ≤0.1
КТ830В 80 В ≤0.1
КТ830Г 100 В ≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ830А 1 В; 1 А ≥20*
КТ830Б 1 В; 1 А ≥20*
КТ830В 1 В; 1 А ≥20*
КТ830Г 1 В; 1 А ≥20*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ830А пФ
КТ830Б
КТ830В
КТ830Г
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ830А ≤1.2 Ом, дБ
КТ830Б ≤1.2
КТ830В ≤1.2
КТ830Г ≤1.2
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ830А Дб, Ом, Вт
КТ830Б
КТ830В
КТ830Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ830А ≤1000* пс
КТ830Б ≤1000*
КТ830В ≤1000*
КТ830Г ≤1000*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.