Транзистор КТ836

Цоколевка транзистора КТ836
Цоколевка транзистора КТ836

 

Параметры транзистора КТ836
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ836А 2N3204
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ836А 5 Вт
КТ836Б 5
КТ836В 5
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ836А ≥4 МГц
КТ836Б ≥4
КТ836В ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ836А 90 В
КТ836Б 85
КТ836В 60
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ836А 5 В
КТ836Б 5
КТ836В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ836А 3 А
КТ836Б 3
КТ836В 3
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ836А 90 В ≤0.1 мА
КТ836Б 85 В ≤0.1
КТ836В 60 В ≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ836А 20…100
КТ836Б 20…100
КТ836В 20…100
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ836А пФ
КТ836Б
КТ836В
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ836А ≤0.3 Ом, дБ
КТ836Б ≤0.018
КТ836В ≤0.022
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ836А Дб, Ом, Вт
КТ836Б
КТ836В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ836А tсп≤1.2 мкс пс
КТ836Б tсп≤1.2 мкс
КТ836В tсп≤1.2 мкс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.