Транзистор КТ838

Цоколевка транзисторов КТ838, КТ839, КТ840
Цоколевка транзисторов КТ838, КТ839, КТ840

 

Параметры транзистора КТ838
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ838А BU204
КТ838Б BU208
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ838А 90 °C 12.5* Вт
КТ838Б 12.5*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ838А ≥3 МГц
КТ838Б ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ838А 1500 В
КТ838Б 1200
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ838А 5; 7 В
КТ838Б 5; 7
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ838А 5(7.5*) А
КТ838Б 5(7.5*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ838А 1500 В ≤1* мА
КТ838Б 1200 В ≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ838А (5 В; 3.5 А) ≥4*
КТ838Б (5 В; 3.5 А) ≥4*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ838А 10 В 170 пФ
КТ838Б 10 В 170
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ838А ≤1.1 Ом, дБ
КТ838Б ≤1.1
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ838А Дб, Ом, Вт
КТ838Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ838А ≤10* мкс; tсп≤1.5; ≤10* мкс  пс
КТ838Б ≤10* мкс; tсп≤1.5; ≤10* мкс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.