Транзистор КТ840

Цоколевка транзисторов КТ838, КТ839, КТ840
Цоколевка транзисторов КТ838, КТ839, КТ840

 

Параметры транзистора КТ840
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ840А 2N6543, BU326A, BUF642 *3, BUT18 *1, 2N6222, BULK380D *3, 2SC2437, 2SC2656 *3, 2SC2542 *3, 2SC3317 *3
КТ840Б BUI26, 2N6542, BUX97, SK3439A *2, 2N6308 *2
КТ840В BU326. 2N5805, BUT93 *3, BUV93 *3, 2N5805
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ840А 60* Вт
КТ840Б 60*
КТ840В 60*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ840А ≥8 МГц
КТ840Б ≥8
КТ840В ≥8
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ840А 400*; 900 В
КТ840Б 350*; 700
КТ840В 375*; 800
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ840А 5 В
КТ840Б 5
КТ840В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ840А 6(8*) А
КТ840Б 6(8*)
КТ840В 6(8*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ840А 900 В ≤3 мА
КТ840Б 750 В ≤3
КТ840В 800 В ≤3
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ840А (2.5 В; 8 А) 10…60*
КТ840Б (2.5 В; 8 А) ≥10*
КТ840В (2.5 В; 8 А) 10…100*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ840А пФ
КТ840Б
КТ840В
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ840А ≤0.75 Ом, дБ
КТ840Б ≤0.75
КТ840В ≤0.24
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ840А Дб, Ом, Вт
КТ840Б
КТ840В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ840А tсп≤0.6 пс
КТ840Б tсп≤0.6
КТ840В ≤3500*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.