Транзистор КТ841

Цоколевка транзисторов КТ841, КТ842, КТ843
Цоколевка транзисторов КТ841, КТ842, КТ843

 

Параметры транзистора КТ841
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ841А BDX96, 2N6560, 2SC2122 *2, BUX17C, NTE385 *2, 2N6582 *2, 2N6579 *2, TIP560 *2, ST560 *2, SDT13302 *2, ST13014, BDY96 *2
КТ841Б 2SC2122, 2SC1308, TIP558 *2, ST558, 2SC1870, STI515,

IR515, DTS515, 2N6511 *2, 2SC1867 *2, BUY77 *2

КТ841В MJ10002, 2SC2122 *2, BUX17C, NTE385 *2, 2N6582 *2, 2N6579 *2, TIP560 *2, ST560 *2, SDT13302 *2, ST13014, BDY96 *2
КТ841Г UPT315, BDX96, 2N6262, 

SDT7736, BU110 *2

 КТ841Д 2SD418, 2SC2139, BUX14, 

2SC2818H, 2SC2818, 2SC2293, 

2SC2139, 2SC1228, 2SC2292 *2, TIP537 *2, ST537 *2

 КТ841Е BUW35, 2N6622, STI425, 

STI402, 2SC2245, 2SC2437 *2, 2SC2139A, 2SC1871A, 

2N6583, 2N6580

Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ841А 3(50*) Вт
КТ841Б 3(50*)
КТ841В 3(50*)
КТ841Г 100*
 КТ841Д 100*
 КТ841Е 50*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ841А ≥10 МГц
КТ841Б ≥10
КТ841В ≥10
КТ841Г ≥7
 КТ841Д ≥5
 КТ841Е ≥7
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ841А 600 В
КТ841Б 400
КТ841В 600
КТ841Г 200
 КТ841Д 500
 КТ841Е 800
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ841А 5 В
КТ841Б 5
КТ841В 5
КТ841Г 5
 КТ841Д 5
 КТ841Е 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ841А 10(15*) А
КТ841Б 10(15*)
КТ841В 10(15*)
КТ841Г 10(15*)
 КТ841Д 10(15*)
 КТ841Е 10(15*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ841А 600 В ≤3 мА
КТ841Б 400 В ≤3
КТ841В 600 В ≤3
КТ841Г 200 В ≤3
 КТ841Д 500 В ≤3
 КТ841Е 800 В ≤3
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ841А 5 В; 5 А ≥12*
КТ841Б 5 В; 5 А ≥12*
КТ841В 5 В; 5 А ≥12*
КТ841Г 5 В; 5 А ≥20*
 КТ841Д 5 В; 2 А ≥20*
 КТ841Е 5 В; 5 А ≥10*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ841А 10 В ≤300 пФ
КТ841Б 10 В ≤300
КТ841В 10 В ≤300
КТ841Г 10 В ≤300
 КТ841Д 10 В ≤300
 КТ841Е 10 В ≤300
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ841А ≤0.3 Ом, дБ
КТ841Б ≤0.3
КТ841В ≤0.3
КТ841Г ≤0.3
 КТ841Д ≤0.3
 КТ841Е ≤0.3
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ841А Дб, Ом, Вт
КТ841Б
КТ841В
КТ841Г
 КТ841Д
 КТ841Е
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ841А ≤1000* пс
КТ841Б ≤1000*
КТ841В ≤1000*
КТ841Г ≤1000*
 КТ841Д ≤1000*
 КТ841Е ≤1000*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.