Транзистор КТ842

Цоколевка транзисторов КТ841, КТ842, КТ843
Цоколевка транзисторов КТ841, КТ842, КТ843

 

Параметры транзистора КТ842
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ842А 2SB506A
КТ842Б TIP519
КТ842В MJ410
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ842А 3(50*) Вт
КТ842Б 3(50*)
КТ842В 100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ842А ≥20 МГц
КТ842Б ≥20
КТ842В ≥7
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ842А 300 В
КТ842Б 200
КТ842В 200
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ842А 5 В
КТ842Б 5
КТ842В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ842А 5(10*) А
КТ842Б 5(10*)
КТ842В 5(10*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ842А 300 В ≤1 мА
КТ842Б 200 В ≤1
КТ842В 200 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ842А 4 В; 5 А ≥15*
КТ842Б 4 В; 5 А ≥15*
КТ842В 4 В; 5 А ≥20*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ842А 10 В 250 пФ
КТ842Б 10 В 250
КТ842В 10 В 250
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ842А ≤0.36 Ом, дБ
КТ842Б ≤0.36
КТ842В ≤0.44
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ842А Дб, Ом, Вт
КТ842Б
КТ842В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ842А 800* пс
КТ842Б 800*
КТ842В 800*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.